[发明专利]一种硅堆的生产方法有效
申请号: | 201711249279.7 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN107993943B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 刘云燕;李广德;李书涛;孙美玲;王硕;付圣贵;尹广超;魏功祥 | 申请(专利权)人: | 山东理工大学 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11638 | 代理人: | 王新爱 |
地址: | 255000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生产 方法 | ||
1.一种硅堆的生产方法,其特征在于:
包括如下步骤:
步骤1:两步法方形晶粒的切割
1.1、在硅晶片的厚度方向预切割,形成不完全切开的方形晶粒,硅晶片的切割深度为硅晶片总厚度的3/5~4/5;
1.2、将在厚度方向预切割的硅晶片N面朝上放在晶粒裂解纸上,切割刀口方向朝上,轻压,使得不完全切开的方形晶粒完全裂解;
步骤2:晶粒放入吸盘摇粒
2.1、将透明防反罩放置于晶粒裂解纸下方,吸盘开口一侧扣在晶粒裂解纸的晶粒上,然后将透明防反罩、晶粒裂解纸、方形晶粒、吸盘整体水平方向反转,防反罩和晶粒吸盘适当用力夹紧,防止在反转时晶粒相对移动,使得方形晶粒整体移入吸盘内;吸盘在下,吸盘之上依次为方形晶粒、晶粒裂解纸和透明防反罩;
2.2、拿起透明防反罩,移除透明防反罩和晶粒裂解纸,再在方形晶粒上方重新扣上透明防反罩,透明防反罩与晶粒吸盘之间的间距小于晶粒边长,防止晃盘时翻转;
2.3、晃动吸盘,吸盘开始吸附方形晶粒,确保吸盘的每一吸孔都吸附方形晶粒,并且吸盘的吸孔内方形晶粒方向一致无反转;
2.4、打开真空开关,把吸盘孔的方形晶粒吸住,多余少量方形晶粒倒出它用;
步骤3:装填
3.1、将下引线装入下焊接舟;
3.2、将焊片放入焊片吸盘,并移入焊接舟,焊片落在引线之上;晶粒放入焊接舟,落在焊片之上,重复焊片—晶粒—焊片……晶粒—焊片的顺序装填,在焊接舟表面均匀喷洒助焊剂,合上载有上引线的上焊接舟;
其中方形晶粒可以任意角度放入,无需刻意调整晶粒放入的角度,焊片放入时也无需刻意调整位置;装填过程注意随时调整下引线托盘的控制螺丝的高度,随着晶粒装填,逐渐降低下引线托盘的深度,防止深度过深晶粒装填时在焊接舟孔中翻转;
3.3、焊片大小与方形晶粒大小之间遵循严格的尺寸比例关系,焊片过大,方形晶粒无法拉正,焊片过小,方形晶粒间接触不良,47、55、90、134mil尺寸的方形晶粒分别对应的焊片尺寸为是:Φ1.30mm、厚度0.05mm;Φ1.70mm、厚度0.05mm;Φ2.80mm、厚度0.05mm;Φ3.56mm,厚度0.10mm;
步骤4:焊接
装填好的焊接舟,放入焊接炉进行焊接,焊接温度和时间为:
在常温下,以16.5±0.5℃/min的升温斜率加热焊接温度至310~320℃,
焊接温度维持时间:5~10min;
再以7.0±0.5℃/min的降温斜率降温至70±5℃,最后自然降至室温。
2.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述透明防反罩与晶粒吸盘之间空隙为0.4mm~1mm,防止晃盘时翻转。
3.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述步骤3中焊片的组份为:
铅:92.5%,
锡:5%,
银:2.5%。
4.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述步骤4 中,焊接温度维持时间为7分钟。
5.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述步骤4 中,焊接温度为315℃。
6.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述步骤4 中,晶粒在焊接炉加热焊接过程中通以氮气或氢气保护。
7.根据权利要求6所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述焊接炉两端设有上下对应氮气风帘,氮气流量都是1.2立方米/h,加热区氮气流量是4立方米/h。
8.根据权利要求1所述的一种硅堆的生产 方法,其特征在于:
所述焊接炉11m长,加热区长度3.4m,缓冲区长度1m,其余是降温区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东理工大学,未经山东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711249279.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:引线框架的制造工艺
- 下一篇:一种DFN二极管的制造工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造