[发明专利]一种铋硫基超导体及其制备方法在审
| 申请号： | 201711245901.7 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107903066A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈永亮;崔雅静;王瑞龙;苏宇峰;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/547 | 分类号： | C04B35/547;C04B35/622 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铋硫基 超导体 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铋硫基超导体，其分子式为La1-xTaxOBiS2，其中0.05≤x≤0.25。
2.一种制备权利要求1所述的铋硫基超导体的方法，其作法是：
A、将La2S3、Bi2S3、Bi2O3、Ta和S共五种物质，按照La1-xTaxOBiS2，0.05≤x≤0.25的化学计量比称量，再研磨混合均匀得原料混合物；
B、将原料混合物与助熔剂CsCl按1：4～10的质量比均匀混合，得原料-助熔剂混合物；
C、将原料-助熔剂混合物密封于真空石英管中，900～1000℃烧结8～12小时；然后以0.5℃～1℃/小时的降温速度降温至600～800℃，之后随炉冷却至室温；去除掉石英管后用去离子水冲洗10～20次以除去CsCl，最后将所得材料在50～100℃干燥20～30小时，即得。
3.如权利要求2所述的一种制备铋硫基超导体的方法，其特征在于：所述的步骤A的操作和步骤B的操作，均在氩气保护气氛下进行。
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