[发明专利]一种扫描程式建立方法、扫描机台及扫描方法

说明书

本发明提出一种扫描程式建立方法、一种扫描机台及扫描方法，当基底的不同工艺层的位置出现偏差和/或单一模板图像在工艺过程中受到损坏或变形时，选取至少一个模板图像，对所述基底进行转角调整至固定方向，降低了基底转角调整失败的概率；进一步，本发明可以通过光强调试，针对基底的不同的工艺层自动选择该工艺层所需的光强，解决了不同工艺层的光强差异无法自动变更的问题；进一步，本发明提出的扫描机台及扫描程式建立方法可以自动对当前基底进行扫描并获取所述基底的缺陷数据信息，建立扫描程式，避免了现有技术中，因产品的过货时间无法控制，研发人员不能及时地建立扫描程式，提高了扫描程式建立的时效性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种扫描程式建立方法、扫描机台及扫描方法。

背景技术

近年来集成电路工艺的发展，关键尺寸(CD)持续按比例缩小，半导体工艺制造的复杂性也在不断提高，通常，半导体工艺制造一般包括数百个工艺步骤，只要其中的一个步骤出现问题，就极有可能引起基底上所有集成电路芯片(die)的缺陷发生。因此，业界普遍通过扫描机台在一定的扫描程式下对基底进行缺陷扫描，以判断基底上的缺陷是否超出控制标准，以及时进行相应处理，提升产品良率。

现有技术中，研发人员在产品过货时人工建立扫描程式来对产品进行缺陷扫描。但是，实践中产品的过货时间无法控制，导致扫描程式无法及时建立，扫描程式建立的时效性较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扫描程式建立方法、扫描机台及扫描方法，能够随着产品工艺制造的进行，使扫描程式得到及时的建立，提高了扫描程式建立的时效性。

为了达到上述目的，本发明一方面提供了一种扫描程式建立方法，包括：

选取至少一个模板图像，在每个模板图像上定义至少一个参考点，所述至少一个参考点用于对一基底进行转角调整；

当基底进入扫描机台时，根据所述至少一个参考点，对所述基底进行转角调整；

向所述基底发射扫描光；

接收所述基底对所述扫描光反射的反射光；以及

根据所述反射光获取所述基底的缺陷数据信息，建立扫描程式。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，所述对一基底进行转角调整的步骤包括：

根据所述至少一个模板图像中的任一模板图像或任意组合上的至少一个参考点对所述基底进行转角调整。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，所述对一基底进行转角调整的步骤包括：

根据所有模板图像上的至少一个参考点对所述基底进行转角调整。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，向所述基底发射扫描光的步骤包括：

向所述基底的所有工艺层发射对应的光照强度的扫描光，其中，所述基底的不同工艺层各自对应不同的光照强度。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，所述向所述基底的工艺层发射对应的光照强度的扫描光之前，还包括：

对所述基底的所有工艺层做光强调试，得到所述基底的所有工艺层对应的光照强度。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，所述基底包括晶圆。

可选的，在上述扫描程式建立方法中，所述根据所述反射光获取所述基底的缺陷数据信息的步骤包括：

定义所述基底所有工艺层对应的阈值，其中，所述基底的不同工艺层各自对应不同的预设的阈值；以及

根据所述反射光及所述阈值获取所述基底的缺陷数据信息，建立扫描程式。