[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

说明书

本发明提供能抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和装置。基板处理方法对多张基板依次实施共同的共同蚀刻处理，共同蚀刻处理具有：蚀刻工序，通过向共同配管供给第一液温的蚀刻液，并从喷嘴喷出蚀刻液，对基板进行蚀刻；高温液体喷出工序，在蚀刻工序之后向共同配管供给具有高于第一液温的液温的高温液体，并从喷嘴喷出高温液体，基板处理方法还包括配管升温工序，在配管升温工序中，在对上述多张基板进行的多个上述共同蚀刻处理中的最初的共同蚀刻处理之前，使共同配管的管壁升温至高于第一液温的规定的第二液温，在各共同蚀刻处理中，在各高温液体喷出工序之后且下一次的各蚀刻工序之前不进行使共同配管的管壁降温的工序。

技术领域

本发明涉及对基板进行处理的基板处理方法和基板处理装置。作为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmission Display：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。

背景技术

在日本特开2015-185644号公报中记载了一张一张地对基板进行蚀刻处理的单张式的基板处理装置。在该基板处理装置的蚀刻处理中，向由旋转卡盘以水平姿势旋转的基板的上下表面供给蚀刻液(蚀刻工序)。蚀刻工序结束后向基板的上下表面供给冲洗液，由此，冲洗附着于基板的上下表面的蚀刻液。向用冲洗液处理后的基板的上表面供给异丙醇(isopropyl alcohol：IPA)等有机溶剂(有机溶剂供给工序)。通过有机溶剂供给工序，将基板的上表面的冲洗液置换成有机溶剂。然后，进行高速旋转基板的旋转干燥工序，从而甩掉附着于基板的冲洗液来去除(干燥)。

日本特开2015-185644的基板处理装置包括：下面喷嘴，其向基板的下表面的中央部喷出处理液；处理液配管，其与下面喷嘴连接；蚀刻液单元，其向处理液配管供给常温的蚀刻液；以及加热液体单元，其向处理液配管供给加热成高温的加热液体。处理液配管有选择地向下面喷嘴供给常温的蚀刻液和加热液体。

就这样的基板处理装置而言，在有机溶剂供给工序中，来自加热液体的热蓄积于处理液配管的管壁。因此，在对多个基板连续地执行蚀刻处理的情况下，存在处理液配管的管壁随着重复进行蚀刻处理升温的担忧，结果，存在从下面喷嘴喷出的蚀刻液的液温上升的担忧。在日本特开2015-185644号公报中，为了排除这样的热影响，每当各蚀刻工序结束时，向处理液配管供给冷却液来对处理液配管的管壁进行冷却。

但是，在日本特开2015-185644号公报的方法中，很难将蓄积于处理液配管的热完全去除。因此，当对多张基板继续实施蚀刻处理时，处理液配管的管壁随着重复蚀刻处理而升温，结果，存在从下面喷嘴喷出的蚀刻液的液温上升的担忧。

图19是用于说明蚀刻处理张数和来自下面喷嘴的蚀刻液的喷出温度的关系的图表。在对多张基板继续实施蚀刻处理的情况下，最初从下面喷嘴以向处理液配管提供的蚀刻液的温度TA喷出蚀刻液，但是随着重复进行蚀刻处理(随着蚀刻处理的处理张数增加)，蚀刻液的喷出温度上升。由于对基板的蚀刻速率与蚀刻液的喷出温度成比例，因此存在蚀刻速率随着重复进行蚀刻处理而上升的担忧。

此外，上述问题并不局限于如日本特开2015-185644号公报那样的向背面供给温水的方法，在对基板使用作为冲洗液的温水的情况下也存在共同的问题。

即，在对多张基板实施蚀刻处理的情况下，要求抑制或防止由这种热影响引起的基板间的蚀刻处理的偏差。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供能够抑制或防止基板间的蚀刻处理的偏差的基板处理方法和基板处理装置。