[发明专利]防静电陶瓷及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种防静电陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将原料混合得到混合料，按照重量百分含量计，所述原料由：0～3％的五氧化二铌、0～3％的三氧化二铁、0.5％～3％的氧化铟、0.5％～3％的氧化锌、0.5％～3％的三氧化二镓、0.5％～3％的二氧化钛、0.5％～3％的三氧化二铝及80％～85％的氧化锆组成；及

在保护气体的气氛中，对所述混合料在施压的同时进行渗碳烧结，得到防静电陶瓷；所述在保护气体的气氛中，对所述混合料在施压的同时进行渗碳烧结的步骤具体为：在所述保护气体的气氛中，将所述混合料置于石墨模具中进行热压烧结，或者为：在所述保护气体的气氛中，将所述混合料置于石墨模具中进行放电等离子烧结，其中，所述五氧化二铌和所述三氧化二铁的含量不为0，所述热压烧结的步骤具体为：将所述混合料置于所述石墨模具中，然后在所述保护气体的气氛中和在压力为10MPa～30MPa的条件下，以2℃/分钟～10℃/分钟的升温速率从室温升温至1200℃～1600℃，并保温烧结5分钟～120分钟；所述放电等离子烧结的步骤具体为：在保护气体的气氛中和压力为10MPa～40MPa的条件下，以2℃/min～5℃/min的升温速率升温至1200℃～1600℃，并保温烧结2小时～4小时，然后以5℃/min～10℃/min速率降温至室温。

2.根据权利要求1所述的防静电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述保护气体为氮气或氩气。

3.根据权利要求1所述的防静电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述五氧化二铌的质量百分含量为0.5％、1.5％、2％、2.5％或3％，所述三氧化二铁的质量百分含量为0.5％、2％、2.5％或3％。

4.根据权利要求1所述的防静电陶瓷的制备方法，其特征在于，将所述原料混合得到所述混合料的步骤具体为：将所述原料加水球磨混合12小时～96小时，再经干燥，得到混合料。

5.根据权利要求4所述的防静电陶瓷的制备方法其特征在于，所述干燥的步骤为：在80℃～100℃下干燥12小时～24小时。

6.根据权利要求1所述的防静电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述对所述混合料在施压的同时进行渗碳烧结的步骤之前，还包括将所述混合料过筛，以使所述混合料的中位粒径为0.5微米～8微米。

7.一种如权利要求1～6任意一项所述的防静电陶瓷的制备方法制备得到的防静电陶瓷。

8.如权利要求7所述的防静电陶瓷在芯片吸盘或防静电轴承中的应用。