[发明专利]三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法

说明书

技术领域

本发明属于材料制备领域，尤其涉及一种三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法。

背景技术

橡胶阻尼材料作为高分子阻尼材料的一个重要分支，将向着高阻尼峰值、宽温域、智能化、产业化的方向发展，而一般的阻尼改性方法和研究手段具有一定的局限性。共混改性虽能拓宽阻尼材料的有效阻尼温域，但是阻尼材料的阻尼峰峰值降低了，同时共混物一般没有相容性从而导致界面相粘结较差使其力学性能较差，一般不能满足工程应用上的要求;加入小分子增塑剂尽管可以提高阻尼峰峰值，但阻尼峰峰值所对应的温度向低温方向迁移，而且材料的力学性能有所降低;互穿网络聚合物可实现两网络分子水平的混合，表现出良好的协同效应，能够拓宽阻尼材料的有效阻尼温域，具有较好的阻尼性能，但大多应用于涂料方面，很少应用在结构材料方面，并且互穿网络结构的合成方法较复杂，溶剂不易去除，成本较高;对于压电导电型阻尼材料，尽管可以拓宽阻尼材料的有效阻尼温域，但加入的压电材料的压电系数一般都较大，因此需要加入大量的压电材料，才能使材料的阻尼性能较好，但同时提高了材料的脆性;利用功能性有机小分子与极性聚合物制备有机杂化阻尼材料，在宏观上实现了功能性有机小分子与极性聚合物间均匀混合，在微观上具有大量的比较均匀的微相分离区域，再加上基体和小分子之间形成的氢键等作用力的存在。

发明内容

本发明旨在提供一种三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，包括如下步骤：（1）首先将粉末状的TWRP基体在双辊筒炼塑机上塑炼使其形成薄片状的TWRP并制成厚0.5mm不含AO-80小分子未热压的基体；（2）将薄片状TWRP在60℃的双辊筒炼塑机上塑炼，然后将AO-80小分子倒在TWRP上并包好然后在进行混炼直至混匀，然后继续调小隔距进行混炼获得厚0.5mm的小分子含量为20%未热压的材料；（3）重复上面的步奏获得厚0.5mm的AO-80小分子含量为40%未热压的材料；（4）将厚0.5mm的不含AO-80小分子未热压的基体、厚0.5mm的AO-80小分子含量为20%未热压的材料与厚0.5mm的AO-80小分子含量为40%未热压的材料一起装入厚1.5mm的模具中后放入电热平板硫化机中，先在未加压力情况下预热，然后再以10MPa的压力热压40min后迅速取出，连同模具一起放入冰水浴中淬火冷却，脱模后得到薄片状三层不同AO-80小分子含量的有机杂化阻尼梯度材料。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，步骤（1）所述双辊筒炼塑机的塑炼温度为60℃。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，步骤（4）所述电热平板硫化机的温度为160℃。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，步骤（4）所述预热时间为30min。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，步骤（4）所述有机杂化阻尼梯度材料的厚为1.5mm。

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，以厚0.5mm的不含AO-80小分子未热压的基体、厚0.5mm的AO-80小分子含量为20%未热压的材料与厚0.5mm的AO-80小分子含量为40%未热压的材料进行叠层热压制备的三层有机杂化阻尼梯度材料，所制备的三层有机杂化阻尼梯度材料的阻尼性能相较于单层有机杂化阻尼材料得到提高，且制备工艺简单适于推广应用。

具体实施方式

本发明所述的三层有机杂化阻尼梯度材料的制备方法，包括如下步骤：（1）首先将粉末状的TWRP基体在双辊筒炼塑机上塑炼使其形成薄片状的TWRP并制成厚0.5mm不含AO-80小分子未热压的基体；（2）将薄片状TWRP在60℃的双辊筒炼塑机上塑炼，然后将AO-80小分子倒在TWRP上并包好然后在进行混炼直至混匀，然后继续调小隔距进行混炼获得厚0.5mm的小分子含量为20%未热压的材料；（3）重复上面的步奏获得厚0.5mm的AO-80小分子含量为40%未热压的材料；（4）将厚0.5mm的不含AO-80小分子未热压的基体、厚0.5mm的AO-80小分子含量为20%未热压的材料与厚0.5mm的AO-80小分子含量为40%未热压的材料一起装入厚1.5mm的模具中后放入电热平板硫化机中，先在未加压力情况下预热，然后再以10MPa的压力热压40min后迅速取出，连同模具一起放入冰水浴中淬火冷却，脱模后得到薄片状三层不同AO-80小分子含量的有机杂化阻尼梯度材料。