[发明专利]芯片封装方法及封装结构在审
申请号: | 201711227089.5 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108231606A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 周辉星 | 申请(专利权)人: | PEP创新私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31 |
代理公司: | 北京智信四方知识产权代理有限公司 11519 | 代理人: | 宋海龙 |
地址: | 新加坡加*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 封装芯片 载板 保护层 芯片封装 包封层 封装结构 贴装 背面 包封材料 电路结构 朝上 焊垫 剥离 | ||
本发明公开了一种芯片封装方法及封装结构。所述芯片封装方法包括:在待封装芯片的正面形成保护层;将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述第一载板;形成第一包封层,所述第一包封层形成在所述待封装芯片背面以及露出的所述第一载板上;剥离所述第一载板,露出所述保护层。本公开通过将待封装芯片的正面形成保护层后贴装于载板上,之后再对待封装芯片上形成第一包封层时,可以防止包封材料渗透到待封装芯片及载板的缝隙中,进而破坏待封装芯片上的电路结构和/或焊垫等。
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,尤其涉及一种芯片封装方法及封装结构。
背景技术
已有技术中,一种常见的芯片封装技术主要包含下述工艺过程:首先将芯片正面通过胶带粘接在衬底晶圆上,进行晶圆级塑封,将衬底晶圆剥离,然后在芯片正面进行再布线,形成再布线层,并进行封装。
发明内容
本公开第一方面提供了一种芯片封装方法,包括:
在待封装芯片的正面形成保护层;
将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上,所述待封装芯片的背面朝上,正面朝向所述第一载板;
形成第一包封层,所述第一包封层形成在所述待封装芯片背面以及露出的所述第一载板上;
剥离所述第一载板,露出所述保护层。
可选地,在待封装芯片的正面形成保护层,包括:
在晶圆正面形成保护层;
将形成有保护层的所述晶圆切割成多个所述待封装芯片。
可选地,将形成有保护层的所述晶圆切割成多个所述待封装芯片之前,还包括:
在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口。
可选地,在所述保护层上与多个所述待封装芯片的焊垫相对应的位置处形成保护层开口之后,还包括:
在所述保护层开口中填充导电介质,使得导电介质与所述待封装芯片的焊垫电连接。
可选地,将正面形成有保护层的所述待封装芯片贴装于第一载板上,包括:
在所述第一载板上形成粘接层;
将所述待封装芯片通过所述粘接层粘贴于所述第一载板的预定位置处。
可选地,剥离所述第一载板,暴露出所述保护层之后,还包括:
在所述保护层上形成保护层开口,所述保护层开口位于所述待封装芯片的焊垫处;
在所述保护层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
可选地,剥离所述第一载板,暴露出所述保护层之后,还包括:
在所述保护层上形成第一再布线层,所述第一再布线层通过所述保护层开口与所述待封装芯片上的焊垫电连接。
可选地,所述方法还包括:
在所述第一再布线层上形成第二包封层,并通过第一导电凸柱引出所述第一再布线层的焊垫或连接点。
可选地,所述方法还包括:
在第二包封层上形成第二再布线层,所述第二再布线层通过所述第一导电凸柱与所述第一再布线层的焊垫或连接点电连接;
在第二再布线层上形成第三包封层,并通过第二导电凸柱引出所述第二再布线层的焊垫或连接点。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于PEP创新私人有限公司,未经PEP创新私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711227089.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:塑封成型标准的制定方法
- 下一篇:芯片封装方法及封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造