[发明专利]一种光伏组件的封装方法有效
申请号: | 201711221349.8 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN107731966B | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 顾鑫;沈培俊;张先淼 | 申请(专利权)人: | 华为数字技术(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/049 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 封装 方法 | ||
本发明实施例公开了一种光伏组件的封装方法,包括:按从下至上的顺序,将背板、第一胶膜、电池片、第二胶膜、盖板依次层叠,形成层叠件;将所述层叠件置于层压机内,抽真空并加热,在第一温度下,向所述电池片施加正向偏压以及将所述背板、所述第一胶膜、所述电池片、所述第二胶膜、所述盖板粘结形成层压件;待所述层压件冷却后,从所述层压机内取出所述层压件;装配所述层压件,得到光伏组件。采用本发明实施例,在抑制光致衰减的同时,不需要专用设备,也不需要增加工序且不会破坏封装材料,提高光伏组件的性能,降低光伏组件的成本。
技术领域
本发明涉及光伏组件技术领域,尤其涉及一种光伏组件的封装方法。
背景技术
发展新能源是应对能源危机,提倡绿色生活的必然选择。光伏发电是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前,光伏产业大多采用硼掺杂的P型硅材料基体和相应的电池工艺。处于成本原因,P型硅材料基体大多采用直拉或者铸造的生长方式,含有较高浓度的氧元素。使用这种P型硅材料基体制作完成的晶体硅太阳电池组件,在光照后,通常会有1~5%的光致衰减。
目前研究者普遍认为光致衰减的成因:在新制完成的太阳电池中,硼,氧杂质处于非激活状。在外加注入载流子的情况下,硼氧获得复合所需的能量,激活形成复合体,造成硅材料的少子寿命降低,影响了太阳电池片及其组件的电压、电流和转换效率。针对上述问题,现有的抑制光致衰减的方法主要分为光注入抑制和电注入抑制。其主要原理是将具有复合活性的缺陷转化为亚稳态的不具有复合活性的状态。
通常在组件封装完成之后对光伏组件成品通过加热注入电流或施加光照来抑制光致衰减,然而,该方法需要添置特殊的专用设备,增加工序,增大了光伏组件的生成成本;且注入电流或施加光照需要高温,高温可能会破坏封装材料所用的EVA(ethylene-vinylacetate copolymer即乙烯-醋酸乙烯共聚物)材料,使得光伏组件的整体性能下降。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种光伏组件的封装方法,实现了在抑制光致衰减的同时,不需要专用设备,也不需要增加工序且不会破坏封装材料,提高光伏组件的性能,降低光伏组件的成本。
第一方面,本发明实施例提供了一种光伏组件的封装方法,包括:
按从下至上的顺序,将背板、第一胶膜、电池片、第二胶膜、盖板依次层叠,形成层叠件;
将所述层叠件置于层压机内,抽真空并加热,在第一温度下,向所述电池片施加正向偏压以及将所述背板、所述第一胶膜、所述电池片、所述第二胶膜、所述盖板粘结形成层压件;
待所述层压件冷却后,从所述层压机内取出所述层压件;
装配所述层压件,得到光伏组件。
通过执行上述方法,将层压工艺与电注入抑制光致衰减的过程相结合,不需要额外的专用设备和工序,可以避免现有技术中,在组件封装完成之后对光伏组件进行电注入时,高温对封装材料的破坏,造成的光伏组件性能的下降,降低光伏组件的生产成本。而且,可以避免在层压前对电池片电注入后,引起的层压过程中复合中心激活,导致的光伏组件的高光致衰减,提高光伏组件的转换效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一胶膜和/或所述第二胶膜为EVA,所述第一温度为 120℃-200℃。
在又一种可能的实现方式中,所述将所述层叠件置于层压机内,抽真空并加热之后,所述在第一温度下,向所述电池片施加正向偏压以及将所述背板、所述第一胶膜、所述电池片、所述第二胶膜、所述盖板粘结形成层压件之前,所述方法还包括:
在第二温度,对所述层叠件进行预热,持续第一时长;其中,所述第二温度小于所述第一温度。
通过执行上述方法,通过多个温区,对电池片缓慢加热,可以防止电池片内应力的产生,提高电池片的性能。
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