[发明专利]硅片烧结炉在审
| 申请号: | 201711218259.3 | 申请日: | 2017-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN107990678A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
| 发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;任超 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | F26B15/04 | 分类号: | F26B15/04;F26B21/06;F26B21/10 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人: | 李玉兴 |
| 地址: | 614000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 硅片 烧结炉 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池片的烧结领域,尤其是一种硅片烧结炉。
背景技术
众所周知的:在太阳电池片的整个生产工艺流程中,扩散、镀膜和烧结三道工序是最主要的,太阳电池片目前采用只需一次烧结的共烧工艺;同时形成上下电极的欧姆接触。
现有技术中太阳能电池片的烧结工艺主要包括三个步骤烘干预热、烧结、冷却;太阳能电池片进行烧结的设备一般采用烧结炉,烧结炉包括烘干区,烧结区和冷却区。
烧结是使晶体硅基片真正具有光电转换功能的至关重要的一步。因此,烧结设备的性能好坏直接影响着电池片的质量。
现有的烧结炉的烘干炉区的烘干气流均从烘干炉体的顶部的中间位置进入,然后向两端形成两股气流,最后由烘干炉区的下部进行收集然后通过抽风装置将废气抽走。
由于热气流向上升腾,因此现有技术中烘干炉区内的烘干气流主要通过抽风机提供形成气流的动力,气流逆向流动,从而能耗高,烘干效率较低。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够便于烘干炉区内烘干气流流动,提高硅片烘干效果的硅片烧结炉。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:硅片烧结炉,包括烘干炉区、烧结炉区、冷却炉区以及输送装置,所述烘干炉区包括炉体,所述炉体具有烘干炉腔,所述烘干炉腔顶部设置有连通烘干炉腔的抽气装置;
所述炉体的侧壁上设置有连通烘干炉腔的入气管,所述入气管在炉体的侧面上沿长度方向均匀分布;所述入气管在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置上表面的上方,另一部分位于输送装置上表面的下方;
所述炉体顶部设置有空气加热鼓风装置,所述空气加热鼓风装置具有的出风口通过连通管道与入气管连通,所述空气加热鼓风装置具有的进风口设置有空气过滤装置。
进一步的,所述抽气装置的出气口设置有过滤装置。
进一步的,所述空气加热鼓风装置包括空气加热器和鼓风器,所述鼓风机的入气口与空气过滤装置连通,所述鼓风机与空气加热器连通,所述空气加热器与入气管连通。
具体的,所述抽气装置采用抽风机。
本发明的有益效果是:本发明所述的硅片烧结炉由于在将入气管设置在炉体的侧面,并且使得所述入气管在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置上表面的上方,另一部分位于输送装置上表面的下方;从而使得热风进入炉体后,直接对输送装置上的硅片进行烘干,同时将抽气装置设置在烘干炉腔顶部,由于热气流向上升腾,从而使得气流的流向自然,便于热气流带走水分,提高烘干效率。
因此本发明所述的硅片烧结炉,能够对烘干气流进行优化,提高烘干效率。
附图说明
图1为本发明实施例中硅片烧结炉的结构简图;
图2为本发明实施例中烘干炉区的结构示意;
图3为本发明实施例中烘干炉区侧视的结构示意图;
图中标示:1-烘干炉区,11-炉体,12-入气管,13-空气加热鼓风装置,14-空气过滤装置,15-抽气装置,16-过滤装置,17-连通管道,2-烧结炉区、3-冷却炉区、4-输送装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
如图1至图3所示,本发明所述的硅片烧结炉,包括烘干炉区1、烧结炉区2、冷却炉区3以及输送装置4;
所述烘干炉区1包括炉体11,所述炉体11具有烘干炉腔,所述烘干炉腔顶部设置有连通烘干炉腔的抽气装置15;
所述炉体11的侧壁上设置有连通烘干炉腔的入气管12,所述入气管12在炉体11的侧面上沿长度方向均匀分布;所述入气管12在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置4上表面的上方,另一部分位于输送装置4上表面的下方;
所述炉体11顶部设置有空气加热鼓风装置13,所述空气加热鼓风装置13具有的出风口通过连通管道17与入气管12连通,所述空气加热鼓风装置13具有的进风口设置有空气过滤装置14。
在工作的过程中:
空气通过空气过滤装置14进行过滤后进入到空气加热鼓风装置13,从而实现对空气的净化、加热,加压;然后加热后的空气通过连通管道17导入到入气管12,通过入气管12进入到烘干炉腔内,由于所述入气管12在烘干炉腔内的入气口部分位于输送装置4上表面的上方,另一部分位于输送装置4上表面的下方;从而使得热风进入炉体后,直接对输送装置上的硅片进行烘干。同时部分气流被硅片分割流向硅片的下表面,实现对硅片下表面的直接烘干。最后气流由顶部的抽气装置15抽走,从而实现硅片的烘干。
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