[发明专利]一种多摄像头模组有效
申请号: | 201711215529.5 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107994042B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 韦有兴 | 申请(专利权)人: | 信利光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/225 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 516600 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 摄像头 模组 | ||
本发明实施例公开了一种多摄像头模组,包括裸芯片、封装基板及模组基板。封装基板的外侧边设有侧边焊盘,并在侧边焊盘上设置有焊接材料;封装基板的外围尺寸大于裸芯片的尺寸,且封装基板的与裸芯片的尺寸差不超过预设阈值;裸芯片设置在封装基板上,裸芯片的功能引脚利用半导体引线工艺连接至侧边焊盘,以构成封装芯片;封装芯片贴装于模组基板表面,并通过封装芯片的侧边焊盘与模组基板的焊接焊盘相连接。本申请制备的多摄像头模组的影像效果等同于COB封装工艺制作的模组,但是避免使用传统COB封装工艺中的邦定金线,产线设备投入更少,制造成本更低;还减小了整个多摄像头模组的体积,有利于多摄像头模组朝着小型化趋势发展。
技术领域
本发明实施例涉及封装摄影设备技术领域,特别是涉及一种多摄像头模组。
背景技术
随着用户对成像图片的质量要求越来越高,迫使摄像、摄影设备技术不断发展,以获得高质量、高清晰度的图片。
镜头的光学素质以及传感器的尺寸决定相机成像的质量,而随着摄像设备(例如移动终端)的轻、薄要求,传感器尺寸和镜头的光学素质受到限制。且单个摄像头的像素在往高处发展时面临瓶颈,不可能依靠提高像素来获取高质量图片,例如,对于手机摄像头而言,2000万像素已达到极限。此外,用户并不需要手机实现这么高的像素,反而需要更快的对焦速度、变动光圈柔焦、夜拍降噪、提高画素、提高动态范围、3D建模、光学变焦等功能。而靠单摄像头,即使辅助一些算法也无法完全实现。因此,多摄像模组应运而生。
在多摄像模组领域中,模组的封装制作工艺影响整个模组的生产成本和模组体积。现有的模组制作工艺为CSP封装(Chip Scale Package,芯片级封装)和COB封装(Chipson Board,板上芯片封装)。
CSP封装工艺可以让芯片面积与封装面积非常接近,通感光芯片为在裸芯片上增加了封装玻璃和底部焊接锡球,常通过封装底部的锡球与线路板的线路连接起来,由于光线穿透封装玻璃的时候会造成轻微折射、反射,从而导致能量损失,其影像效果没有直接用裸芯片的COB工艺模组效果好。
COB封装工艺模组采用裸芯片绑定金线,即利用金线将裸芯片与线路板的线路连接起来。芯片上方没有封装玻璃,感光性能更好,其影像效果优于CSP工艺模组。感光芯片通过邦定金线的方式与多摄模组连接,需要与模组其他器件设计一定的间距,请参阅图1所示,即电容等器件与COB芯片的距离比CSP芯片大,COB封装工艺模组的整体体积会比CSP工艺模组大;且采用COB封装工艺制造模组,需要投入COB邦定金线设备,每台设备都是百万级别,建立COB工艺产线需要巨额的资金投入,摄像模组的制造成本较高。
鉴于此,如何在保证多摄像模组影像效果的基础上,降低多摄像头模组的成本,实现多摄像模组的小型化是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种多摄像头模组,保证多摄像模组影像效果的基础上,降低多摄像头模组的成本,减小了多摄像模组的体积,有利于实现多摄像模组的小型化。
为解决上述技术问题,本发明实施例提供以下技术方案:
本发明实施例提供了一种多摄像头模组,包括:
裸芯片、封装基板及模组基板;
所述封装基板的外侧边设有侧边焊盘,并在所述侧边焊盘上设置有焊接材料;所述封装基板的外围尺寸大于所述裸芯片的尺寸,且所述封装基板与所述裸芯片的尺寸差不超过预设阈值;
所述裸芯片设置在所述封装基板上,所述裸芯片的功能引脚利用半导体引线工艺连接至所述侧边焊盘,以构成封装芯片;
所述封装芯片贴装于所述模组基板表面,并通过所述封装芯片的侧边焊盘与所述模组基板的焊接焊盘相连接。
可选的,还包括焊盘保护层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的