[发明专利]用于封装OLED器件的封装结构、显示装置在审
申请号: | 201711215055.4 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107994131A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 陈霞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人: | 孙伟峰,武岑飞 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 封装 oled 器件 结构 显示装置 | ||
技术领域
本发明属于有机发光显示技术领域,具体地讲,涉及一种用于封装OLED器件的封装结构、显示装置。
背景技术
近年来,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示装置成为国内外非常热门的新兴平面显示装置产品,这是因为OLED显示装置具有自发光、广视角、短反应时间、高发光效率、广色域、低工作电压、薄厚度、可制作大尺寸与可挠曲的面板及制程简单等特性,而且它还具有低成本的潜力。
在OLED器件的制造过程中,金属电极和有机发光层对水汽和氧气非常敏感,氧气会对金属电极造成氧化,而水汽会造成有机发光层的氧化及结晶化,从而造成发光领域缩小的像素缩小(Pixel Shrinkage)现象和发光领域内暗点(dark spot)的产生。在现有的OLED器件的封装中,通常采用薄膜封装的方法来隔绝水汽和氧气,图1是现有的一种封装OLED器件的封装结构的示意图。如图1所示,封装结构无机封装层11、有机封装层12、无机封装层13和阻挡层14。图2是图1所示的封装结构的膜层应力应变的曲线图。在图2中,横坐标为应力应变Axial Strain,纵坐标为距离中心层的距离z。如图2所示,图1所示的封装结构的应力应变Axial Strain的范围在-2.5~2.5之间,最大值达到2.5且最小值达到-2.5,并且应力应变Axial Strain为0的位置只有一处,即中心层所在位置,这样的封装结构中的无机封装层11、13在弯折过程中很容易发生破裂(crack),从而失去封装效果。另外阻挡层14的厚度一般在几十微米到几百微米之间,这样也增加了整个OLED器件的厚度。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种降低无机封装层破裂风险的一种用于封装OLED器件的封装结构、显示装置。
根据本发明的一方面,提供了一种用于封装OLED器件的封装结构,所述封装结构包括封装单元,所述封装单元包括:光学胶层;无机封装层,设置于所述光学胶层上;有机封装层,设置于所述无机封装层上。
进一步地,所述封装单元的数量为三个,三个封装单元叠层设置;在相邻的两个封装单元中,位于上方的封装单元的光学胶层设置于位于下方的封装单元的有机封装层上。
根据本发明的另一方面,还提供了一种显示装置,其包括:基板;设置于所述基板上的OLED器件;封装结构,设置于所述OLED器件上以封装所述OLED器件,所述封装结构包括封装单元,所述封装单元包括:光学胶层,设置于所述OLED器件上;无机封装层,设置于所述光学胶层上;有机封装层,设置于所述无机封装层上。
进一步地,所述封装单元的数量为三个,三个封装单元叠层设置,位于最下方的封装单元的光学胶层设置于所述OLED器件上;在相邻的两个封装单元中,位于上方的封装单元的光学胶层设置于位于下方的封装单元的有机封装层上。
进一步地,所述OLED器件包括在所述基板上依序叠层设置的底电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及顶电极。
进一步地,所述底电极和所述顶电极中的一个是透明的或半透明的,所述底电极和所述顶电极中的另一个是不透明且反射光的。
进一步地,所述无机封装层采用Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HfO2、Ta2O5、Si3N4、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO2、SiOx、SiC和ITO中的一种或几种的组合制作形成。
进一步地,所述有机封装层采用聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚砜、聚对苯二乙基砜、聚乙烯、聚丙烯、聚硅氧烷、聚酰胺、聚偏二氟乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯氰、聚乙酸乙烯酯、聚对二甲苯基、聚脲、聚四氟乙烯和环氧树脂中的一种或几种的组合制作形成。
本发明的有益效果:本发明通过在封装结构中引入光学胶层,减小无机封装层在弯折时的应力应变,从而降低了无机封装层的破裂风险。此外,与现有技术相比,本发明的封装结构节省了最外层的阻挡层,可以降低封装结构的厚度,有利于器件薄型化。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711215055.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择