[发明专利]一种LED封装方法

权利要求书

1.一种LED封装方法，其特征在于，包括，

步骤1、准备散热基板(21)；

步骤2、准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板(21)上；

步骤3、在所述LED芯片的上表面形成第一透镜层(22)，所述第一透镜层(22)包括多个第一半球形透镜；

步骤4、在所述LED芯片上表面和所述第一透镜层(22)上方形成第一封装层(23)；

步骤5、在所述第一封装层(23)上方形成第二透镜层(24)，所述第二透镜层(24)包括多个第二半球形透镜，且多个所述第二半球形透镜含有荧光粉；

步骤6、在所述第二透镜层(24)上方形成第二封装层(25)，且所述第二封装层(25)含有所述荧光粉；

步骤7、将包括所述第一透镜层(22)、所述第一封装层(23)、所述第二透镜层(24)以及所述第二封装层(25)的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。

2.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤3包括：

步骤31、在所述LED芯片表面涂敷第一硅胶层，采用第一半球形模具在所述LED芯片上方形成多个半球形硅胶球；

步骤32、对所述多个半球形硅胶球进行第一初烤、脱模和打磨，以形成所述第一透镜层(22)，所述第一初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。

3.根据权利要求2所述的LED封装方法，其特征在于，步骤4包括：

步骤41、在所述LED芯片上表面和所述第一透镜层(22)上方涂覆第二硅胶层；

步骤42、对所述第二硅胶层进行第二初烤和打磨，以形成所述第一封装层(23)，所述第二初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。

4.根据权利要求3所述的LED封装方法，其特征在于，步骤5包括：

步骤51、在所述第一封装层(23)的表面涂敷第三硅胶层，利用第二半球形模具在所述第一封装层(23)上方形成多个半球形硅胶球，所述半球形硅胶球内含有所述荧光粉；

步骤52、对所述多个半球形硅胶球进行第三初烤、脱模和打磨，以形成第二透镜层(24)，所述第三初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。

5.根据权利要求4所述的LED封装方法，其特征在于，步骤6包括：

步骤61、在所述第二透镜层(24)和所述第一封装层(23)上方涂覆第四硅胶层；

步骤62、利用第三半球形模具使所述第四硅胶层的上表面形成弧形；

步骤63、对所述第四硅胶层进行第四初烤、脱模和打磨，以形成第二封装层(25)，第四初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。

6.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤3之前还包括：

步骤X1、分别配置用于制备所述第一透镜层(22)和所述第一封装层(23)的硅胶材料，使得所述第一透镜层(22)的折射率大于所述第一封装层(23)的折射率；

步骤X2、分别配置用于制备所述第二透镜层(24)和所述第二封装层(25)的含有所述荧光粉的硅胶材料，使得光线透过所述第二透镜层(24)和所述第二封装层(25)之后，发出荧光的波长范围为570nm-620nm，且所述第二透镜层(24)的折射率大于所述第一封装层(23)的折射率和所述第二封装层(25)的折射率。

7.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，步骤1包括：

步骤11、选取所述散热基板(21)；

步骤12、清洗所述散热基板(21)；

步骤13、将所述散热基板(21)烘干。

8.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述LED芯片为氮化镓基蓝光芯片。

9.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述第一透镜层(22)上的多个所述第一半球形透镜的直径为10-200微米，且多个所述第一半球形透镜均匀间隔排列，间距为10-200微米。

10.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述第二透镜层(24)上的多个所述第二半球形透镜呈矩形排列或者交错排列。