[发明专利]存储单元及其工作方法

权利要求书

1.一种用于降低负偏置温度不稳定性(NBTI)的单元结构，包括：

第一单元，包括第一组晶体管和第一数据锁存器；

第二单元，包括第二组晶体管和第二数据锁存器；

读端口单元，包括多个p型晶体管；

搜索线和互补搜索线，其中，所述搜索线和所述互补搜索线用作所述单元结构的输入端；以及

主线，其中，所述主线用作所述单元结构的输出端；

其中，所述第一单元可操作地连接至所述第二单元；

其中，所述第一单元和所述第二单元两者可操作地连接至所述读端口单元，

其中，在所述单元结构进入搜索模式前，所述搜索线的初始状态被设置为逻辑高，

其中，在所述单元结构进入所述搜索模式前，所述主线的初始状态被设置为逻辑低。

2.根据权利要求1所述的单元结构，其中，所述第一数据锁存器包括第一p型晶体管和第二p型晶体管以及第一n型晶体管和第二n型晶体管。

3.根据权利要求2所述的单元结构，其中，所述第二数据锁存器包括第三p型晶体管和第四p型晶体管、第三n型晶体管和第四n型晶体管。

4.根据权利要求3所述的单元结构，

其中，所述第一p型晶体管的栅极和所述第一n型晶体管的栅极连接在一起，所述第二p型晶体管的栅极和所述第二n型晶体管的栅极连接在一起，

其中，所述第一p型晶体管的漏极与所述第一n型晶体管的源极连接在一起，并且还连接至所述第二p型晶体管的栅极和所述第二n型晶体管的栅极以形成第一存储节点，

其中，所述第二p型晶体管的漏极与所述第二n型晶体管的源极连接在一起，并且还连接至所述第一p型晶体管的栅极和所述第一n型晶体管的栅极以形成第一互补存储节点。

5.根据权利要求4所述的单元结构，

其中，所述第三p型晶体管的栅极和所述第三n型晶体管的栅极连接在一起，所述第四p型晶体管的栅极和所述第四n型晶体管的栅极连接在一起，

其中，所述第三p型晶体管的漏极与所述第三n型晶体管的源极连接在一起，并且还连接至所述第四p型晶体管的栅极和所述第四n型晶体管的栅极以形成第二存储节点，

其中，所述第四p型晶体管的漏极与所述第四n型晶体管的源极连接在一起，并且还连接至所述第三p型晶体管的栅极和所述第三n型晶体管的栅极以形成第二互补存储节点。

6.根据权利要求5所述的单元结构，其中，所述读端口包括四个p型读端口晶体管。

7.根据权利要求6所述的单元结构，其中，所述第二p型读端口晶体管的栅极连接至所述第一存储节点，所述第三p型读端口晶体管的栅极连接至所述第二存储节点，所述第一p型读端口晶体管的栅极连接至所述互补搜索线，并且所述第四p型读端口晶体管的栅极连接至所述搜索线。

8.根据权利要求7所述的单元结构，其中，所述第一组晶体管包括两个n型晶体管，并且所述第二组晶体管包括两个n型晶体管。

9.根据权利要求8所述的单元结构，其中，所述第一组晶体管的所述n型晶体管的栅极连接在一起，其中，所述第二组晶体管的所述n型晶体管的栅极连接在一起。

10.根据权利要求9所述的单元结构，其中，所述第一组晶体管的第一n型晶体管的源极和所述第二组晶体管的第一n型晶体管的源极连接在一起，其中，所述第一组晶体管的第二n型晶体管的源极和所述第二组晶体管的第二n型晶体管的源极连接在一起。

11.根据权利要求10所述的单元结构，其中，所述第一组的第一n型晶体管的漏极连接至所述第一存储节点，其中，所述第一组的第二n型晶体管的漏极连接至所述第一互补存储节点。