[发明专利]体声波谐振器有效

专利信息
申请号: 201711211798.4 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108123695B 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 韩源;林昶贤;金龙石;韩昇勋;李成俊;尹湘基;金泰润 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/56;H03H9/58
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙丽妍;金光军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振器
【说明书】:

本发明提供一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括:膜层,与基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上;压电层,设置在所述下电极的平坦表面上;以及上电极,覆盖所述压电层的一部分。所述压电层的侧部的整个区域暴露于空气。所述压电层的所述侧部相对于所述下电极的顶表面具有65°到90°的倾斜度。

本申请要求于2016年11月30日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0161699号以及于2017年5月24日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0064021号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种体声波谐振器。

背景技术

通常,体声波(BAW)滤波器是智能电话、平板电脑等的前端模块中的使射频(RF)信号中被选择的频带通过并阻截RF信号中没有被选择的频带的核心元件。随着对包含体声波滤波器的移动装置的需求增加,对体声波滤波器的需求也相应地增加。

BAW滤波器包括体声波(BAW)谐振器。如果体声波谐振器的品质系数(Q性能)是良好的,则仅选择期望频带的BAW滤波器的能力得到提高,并且插入损耗和衰减性能得以改善。

通过形成围绕谐振器的框架并在谐振器中反射在谐振时产生的横向波而将谐振能量限制在有效区域中改善了体声波谐振器的品质系数。

通常,使用与上电极相同的材料将框架形成为比有效区域厚。然而,在形成框架的情况下,其他性能方面会由于框架占据的有效区域而劣化。此外,会由于框架谐振而在宽频带范围产生噪声。

发明内容

提供本发明内容以按照简化形式介绍选择的构思,以下在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容并不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面,一种体声波谐振器包括:膜层,与基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上;压电层,设置在所述下电极的平坦表面上;以及上电极,覆盖所述压电层的一部分。所述压电层的侧部的整个区域暴露于空气。所述压电层的所述侧部相对于所述下电极的顶表面具有65°到90°的倾斜度。

反射损耗改善部可形成在所述下电极和所述上电极中的一者或两者上。

所述上电极可包括:支撑构件,设置在所述膜层上,并与所述下电极分开;延伸部,从所述支撑构件延伸,并与所述压电层分开;以及电极层部,从所述延伸部延伸,并覆盖所述压电层的顶表面。

所述反射损耗改善部可设置在所述电极层部上。所述电极层部可包括台阶形状,所述台阶形状包括所述反射损耗改善部。

所述电极层部可具有与所述压电层的所述侧部不重合的端部,所述端部包括所述反射损耗改善部。

所述电极层部的所述端部可包括倾斜表面。

所述电极层部的所述端部可设置在所述压电层的内侧上。

所述下电极可包括与所述压电层的所述侧部不重合的端部,所述端部包括反射损耗改善部。

所述下电极的所述端部可包括倾斜表面。

所述下电极的所述端部可设置在所述压电层的内侧上。

所述腔的凸起部可通过所述膜层限定。

所述压电层可设置在位于所述凸起部的平坦表面上的所述下电极上。

在另一总体方面,一种体声波谐振器包括:膜层,与基板一起形成腔;下电极,设置在所述膜层上;压电层,设置在所述下电极的平坦表面上;上电极,覆盖所述压电层的一部分,并与所述压电层的侧部分开;以及残余牺牲层,覆盖所述压电层的所述侧部的一部分。

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