[发明专利]LED封装体及高透光率LED灯在审
| 申请号： | 201711210383.5 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN107946442A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/56 | 分类号： | H01L33/56;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 封装 透光率 | ||
1.一种LED封装体，其特征在于，包括：
热沉(21)；
LED芯片，设置于所述热沉(21)之上；
第一硅胶层(22)，涂覆于所述LED芯片及所述热沉(21)之上；
第二硅胶层(23)，设置于所述第一硅胶层(22)之上；
第三硅胶层(24)，设置于所述第二硅胶层(23)之上。
2.如权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述第一硅胶层(22)不含有荧光粉，所述第二硅胶层(23)或所述第三硅胶层(24)含有荧光粉。
3.如权利要求1所述的LED封装体，其特征在于，所述第三硅胶层(24)的折射率大于所述第一硅胶层(22)的折射率且小于所述第二硅胶层(23)的折射率。
4.如权利要求3所述的LED封装体，其特征在于，所述第二硅胶层(24)包括多个半球形硅胶透镜。
5.如权利要求4所述的LED封装体，其特征在于，所述LED芯片依次包括衬底层(221)、GaN缓冲层(222)、N型GaN层(223)，第一P型GaN量子阱宽带隙层(224)、InGaN层(225)、第二P型GaN量子阱宽带隙层(226)、AlGaN阻挡层(227)、P型GaN层(228)和电极。
6.如权利要求5所述的LED封装体，其特征在于，所述热沉(21)的材料为铁。
7.如权利要求6所述的LED封装体，其特征在于，所述热沉(21)的厚度在0.5毫米和10毫米之间，沿所述热沉(21)宽度的方向设有相互平行的多个圆槽，相邻两个所述圆槽的间距在0.5毫米和10毫米之间；每个所述圆槽的直径均在0.2毫米和1毫米之间，其中轴线与所述热沉(21)的底部平面的夹角在1度和10度之间。
8.如权利要求7所述的LED封装体，其特征在于，所述第三硅胶层(24)呈半球形，且其特征厚度在50～500微米之间。
9.如权利要求8所述的LED封装体，其特征在于，所述第一硅胶层(22)的材料为环氧树脂、改性环氧树脂或有机硅材料；所述第二硅胶层(23)的材料为聚碳酸脂、聚甲基丙烯酸甲脂或者玻璃；所述第三硅胶层(24)的材料为甲基硅橡胶或苯基有机硅橡胶。
10.一种高透光率LED灯，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的LED封装体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安科锐盛创新科技有限公司，未经西安科锐盛创新科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711210383.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
