[发明专利]制造半导体装置的设备在审

专利信息
申请号: 201711210076.7 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN108231656A 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: 张永昌 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L29/78
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 冯志云;张福根
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 独立晶片 晶片盘 第二轴 第一轴 盘绕 配置 半导体装置 控制马达 晶片 耦接 马达 制造
【说明书】:

本公开实施例为一设备,此设备包含集体晶片盘,集体晶片盘包含多个独立晶片槽,这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘,这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转,集体晶片盘配置为绕着第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达,以及配置为控制马达的控制单元,使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转,且集体晶片盘绕第二轴旋转。

技术领域

本公开实施例涉及半导体制造技术,且特别涉及半导体装置以及制造半导体装置的设备和方法。

背景技术

半导体装置用于各种不同的电子应用,例如,个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置的制造通常通过在半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料,并且使用光刻技术将各种材料层图案化,以形成电路组件以及元件于半导体基底上。

半导体工业通过持续微缩最小部件的尺寸,使得更多组件整合至指定的区域中,以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。然而,随着最小部件尺寸的微缩,出现了需要被解决的额外的问题。

发明内容

本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备,此设备包含集体晶片盘,集体晶片盘包含多个独立晶片槽,这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘,这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转,集体晶片盘配置为围着绕第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达,以及配置为控制马达的控制单元,使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转,且集体晶片盘绕着第二轴旋转。

本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备,此设备包含耦接至轴的基座,此基座具有多个晶片槽,多个晶片盘设置于基座的第一侧上的各自的晶片槽中。此设备还包含独立基座齿轮,独立基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的各自的晶片盘。此设备还包含集体基座齿轮,集体基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的轴,集体基座齿轮配置为绕着此轴旋转,独立基座齿轮机械地且物理上地耦接至集体基座齿轮。

本公开的一些实施例提供制造半导体装置的方法,此方法包含分配多个前驱物材料于承载多个晶片的集体晶片盘上,当分配前驱物材料时加热集体晶片盘,当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着第一轴旋转集体晶片盘,当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着各自的第二轴旋转晶片,第一轴不同于每一个第二轴,以及自每一个晶片将集成电路装置分割。

附图说明

通过以下的详述配合所附附图,可以更加理解本公开实施例的观点。值得注意的是,根据业界标准惯例,各个不同部件(feature)未必按照比例绘制。事实上,为了讨论的明确易懂,各个不同部件的尺寸可随意增加或减少。

图1A和图1B是根据一些实施例分别说明集体晶片盘的剖面示意图和平面示意图。

图2和图3是根据一些实施例说明沉积系统的示意图。

图4是根据一些实施例说明鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)的三维示意图的范例。

图5至图22B是根据一些实施例,利用图2和图3的沉积系统制造鳍式场效晶体管(FinFET)的各个中间阶段的剖面示意图。

附图标记说明:

10~集体晶片盘;

12~晶片;

14~轴;

16~基座;

18~晶片槽;

20~独立晶片盘;

22~支架;

24~吸盘;

26~隔离件;

28~密封件;

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