[发明专利]制造半导体装置的设备在审
申请号: | 201711210076.7 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN108231656A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 张永昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L29/78 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 独立晶片 晶片盘 第二轴 第一轴 盘绕 配置 半导体装置 控制马达 晶片 耦接 马达 制造 | ||
本公开实施例为一设备,此设备包含集体晶片盘,集体晶片盘包含多个独立晶片槽,这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘,这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转,集体晶片盘配置为绕着第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达,以及配置为控制马达的控制单元,使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转,且集体晶片盘绕第二轴旋转。
技术领域
本公开实施例涉及半导体制造技术,且特别涉及半导体装置以及制造半导体装置的设备和方法。
背景技术
半导体装置用于各种不同的电子应用,例如,个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。半导体装置的制造通常通过在半导体基底上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层的材料,并且使用光刻技术将各种材料层图案化,以形成电路组件以及元件于半导体基底上。
半导体工业通过持续微缩最小部件的尺寸,使得更多组件整合至指定的区域中,以持续改善各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度。然而,随着最小部件尺寸的微缩,出现了需要被解决的额外的问题。
发明内容
本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备,此设备包含集体晶片盘,集体晶片盘包含多个独立晶片槽,这些独立晶片槽具有各自的独立晶片盘,这些独立晶片盘配置为绕着各自的第一轴旋转,集体晶片盘配置为围着绕第二轴旋转。此设备还包含耦接至集体晶片盘的马达,以及配置为控制马达的控制单元,使得独立晶片盘绕着各自的第一轴旋转,且集体晶片盘绕着第二轴旋转。
本公开的一些实施例提供制造半导体装置的设备,此设备包含耦接至轴的基座,此基座具有多个晶片槽,多个晶片盘设置于基座的第一侧上的各自的晶片槽中。此设备还包含独立基座齿轮,独立基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的各自的晶片盘。此设备还包含集体基座齿轮,集体基座齿轮耦接至在基座的第二侧上的轴,集体基座齿轮配置为绕着此轴旋转,独立基座齿轮机械地且物理上地耦接至集体基座齿轮。
本公开的一些实施例提供制造半导体装置的方法,此方法包含分配多个前驱物材料于承载多个晶片的集体晶片盘上,当分配前驱物材料时加热集体晶片盘,当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着第一轴旋转集体晶片盘,当分配前驱物材料且加热集体晶片盘时绕着各自的第二轴旋转晶片,第一轴不同于每一个第二轴,以及自每一个晶片将集成电路装置分割。
附图说明
通过以下的详述配合所附附图,可以更加理解本公开实施例的观点。值得注意的是,根据业界标准惯例,各个不同部件(feature)未必按照比例绘制。事实上,为了讨论的明确易懂,各个不同部件的尺寸可随意增加或减少。
图1A和图1B是根据一些实施例分别说明集体晶片盘的剖面示意图和平面示意图。
图2和图3是根据一些实施例说明沉积系统的示意图。
图4是根据一些实施例说明鳍式场效晶体管(fin field-effect transistor,FinFET)的三维示意图的范例。
图5至图22B是根据一些实施例,利用图2和图3的沉积系统制造鳍式场效晶体管(FinFET)的各个中间阶段的剖面示意图。
附图标记说明:
10~集体晶片盘;
12~晶片;
14~轴;
16~基座;
18~晶片槽;
20~独立晶片盘;
22~支架;
24~吸盘;
26~隔离件;
28~密封件;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造