[发明专利]一种检测电机控制器MOSFET温度的装置在审
申请号: | 201711207943.1 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107702802A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 翟周林;吕东冬;吴升;朱立山;汪国军;黄少峰 | 申请(专利权)人: | 安徽一维新能源技术有限公司 |
主分类号: | G01J5/00 | 分类号: | G01J5/00 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 电机 控制器 mosfet 温度 装置 | ||
1.一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,包括若干光学镜头(1)、光纤(2)、光路汇集装置(3)、热成像传感器(4)、MOSFET模块(5);
其中,若干所述光学镜头(1)均匀设置于电机控制器的MOSFET模块(5)各位置,所述光学镜头(1)与电机控制器内部的MOSFET模块(5)对应设置,所述光学镜头(1)通过光纤(2)与光路汇集装置(3)连接,所述热成像传感器(4)与光路汇集装置(3)对应设置。
2.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述光学镜头(1)用于收集MOSFET模块(5)的热辐射光,并通过光纤(2)将热辐射光传输到光路汇集装置(3)。
3.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述光路汇集装置(3)接收所述光学镜头(1)通过光纤(2)传输的热辐射光并将热辐射光传输到热成像传感器(4)。
4.根据权利要求1所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述热成像传感器(4)用于将光路汇集装置(3)传输过来的热辐射光转换成温度信息;
所述热成像传感器(4)电连接有数据分析与处理装置,数据分析与处理装置通信连接有比对装置和MCU,所述比对装置与所述MCU通信连接,所述MCU电连接有MOSFET驱动装置、警报装置和显示装置;
其中,所述热成像传感器(4)向所述数据分析与处理装置传输温度信息。
5.根据权利要求4所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述数据分析与处理装置接收所述热成像传感器(4)传输的温度信息并在温度信息超过阈值时向所述比对装置传输计时命令,所述数据分析与处理装置在温度信息低于阈值时向所述比对装置传输停止命令;
所述数据分析与处理装置向所述MCU传输温度信息;
所述比对装置在接收所述数据分析与处理装置传输的计时命令时自动开始计时并在计时时间达到预设值时向所述MCU传输警报命令;
所述比对装置接收所述数据分析与处理装置传输的停止命令并停止计时。
6.根据权利要求5所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述MCU接收所述数据分析与处理装置传输的温度信息并自动获取一段时间内的温度信息平均值、最大值和最小值;
所述MCU接收所述比对装置传输的警报命令并向警报装置传输警报命令,所述MCU向所述MOSFET驱动装置传输停止命令;
所述MCU向所述显示装置传输温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值。
7.根据权利要求6所述的一种检测电机控制器MOSFET温度的装置,其特征在于,所述MOSFET接收所述MCU传输的停止命令并自动驱动MOSFET停止工作;
所述警报装置接收所述MCU传输的警报命令并发出警报;
所述显示装置接收所述MCU传输的温度信息、温度信息的最大值、最小值、平均值并进行实时显示。
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