[发明专利]柔性OLED显示面板及显示装置有效
申请号: | 201711201708.3 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107742639B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 oled 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供一种柔性OLED显示面板,包括:柔性基底,所述柔性基底表面定义有显示区域,以及位于所述显示区域一端的走线区域;所述走线区域可弯折至所述柔性基底的一侧;TFT器件层,制备于所述柔性基底的显示区域内;发光器件层,制备于所述TFT器件层表面;以及,金属走线,制备于所述柔性基底的走线区域内;其中,所述走线区域设置为可减小所述走线区域表面弯曲应力的结构;有益效果为:本发明提供的OLED显示面板,在柔性基底的弯曲区域设置为可减小弯曲应力的结构,进而在柔性基底弯曲过程中避免金属走线脱落,从而提高产品品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及柔性OLED显示面板及具有该柔性OLED显示面板的显示装置。
背景技术
与TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示面板)相比,AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode,主动矩阵有机发光二极体)具有轻薄、低功耗、高对比度、高色域,可以实现柔性显示等优点,已成为下一显示技术的发展趋势。
柔性显示器件包括PI(Polyimide,聚酰亚胺)衬底基板,PI衬底基板的材质通常为塑料材质,具有一定柔韧性。PI衬底基板上设有显示区和外围走线区(Border),Border宽度一般有3~5mm,导致制作出来的显示器边框较宽。
然而,目前市场对显示器具有窄边框设置是无边框的需求,为了迎合市场需求,目前可以对走线区进行弯折,将走线区折叠致显示区的背面,以减小走线区的宽度,进而可以生产出边框较窄的显示器。
由于PI衬底基板的一侧表面上设有走线区和显示区,在弯曲处会产生较大的应力,导致薄膜与金属走线发生peeling(脱落),进而影响显示功能。
综上所述,现有技术的柔性OLED显示面板,为了隐藏PI衬底基板的走线区需要将走线区弯折至PI衬底基板背面,弯曲处会产生较大的应力,易导致金属走线脱落,进而影响产品的品质。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板,在弯折区域设置可减小弯曲产生的应力的结构;以解决现有技术的柔性OLED显示面板,为了隐藏PI衬底基板的走线区需要将走线区弯折至PI衬底基板背面,弯曲处会产生较大的应力,易导致金属走线脱落,进而影响产品品质的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种柔性OLED显示面板,包括:
柔性基底,所述柔性基底表面定义有显示区域,以及位于所述显示区域一端的走线区域;所述走线区域可弯折至所述柔性基底的一侧;
TFT器件层,制备于所述柔性基底的显示区域内;
发光器件层,制备于所述TFT器件层表面;以及,
金属走线,制备于所述柔性基底的走线区域内;
其中,所述走线区域设置为可减小所述走线区域表面弯曲应力的结构。
根据本发明一优选实施例,所述走线区域对应的所述柔性基底的膜层厚度,小于所述显示区域对应的所述柔性基底的膜层厚度。
根据本发明一优选实施例,所述走线区域包括连接所述显示区域的连接端,以及远离所述连接端的粘接端,所述粘接端对应的所述柔性基底的膜层厚度,与所述显示区域对应的所述柔性基底的膜层厚度相等。
根据本发明一优选实施例,所述走线区域对应的所述柔性基底,包括制备有所述金属走线的第一表面,以及与所述第一表面相对的第二表面,其中,所述第二表面设置有间隔分布的条形槽。
根据本发明一优选实施例,所述条形槽的长边与所述走线区域的连接端相平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的