[发明专利]一种用于叉指状栅GOI结构漏电点精确定位的方法

权利要求书

1.一种叉指状栅极GOI结构失效点定位方法，包括：

提供集成电路芯片；

逐层剥离集成电路各层直至暴露出源极/漏极接触的顶部；

刻蚀去除源极/漏极接触的导电材料，源极/漏极接触包括黏附层、防扩散层、金属填充层；

采用电压衬度分析法，并结合聚焦离子束(FIB)切割方法，逐步定位栅极氧化层的失效点，其中，

所述的电压衬度分析法中，栅极氧化层不存在失效点时，栅极呈现出暗的电压衬度；栅极氧化层存在失效点时，相应栅极呈现出亮的电压衬度；

所述结合聚焦离子束(FIB)切割的方法，逐步定位栅极氧化层的失效点，具体为：确定显示出亮的电压衬度的存在栅极氧化层失效点的缺陷区域；通过聚焦离子束(FIB)将该缺陷区域切割为两部分；循环上述过程，直至缺陷区域缩小到预定的范围，以分析具体的失效原因。

2.如权利要求1所述的失效点定位方法，其中，所述的刻蚀为化学刻蚀法。

3.如权利要求1所述的失效点定位方法，其中，所述的源极/漏极接触的导电材料包括金属和/或金属合金。