[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201711192938.8 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN108206199B | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
发明(设计)人: | 郑浩永;金台翰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;王伟楠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
设置在所述基板上的发光元件;
薄膜晶体管,其连接至所述发光元件中的每一个发光元件;
光控制层结构,其设置在所述发光元件中的每一个发光元件的阳极与所述基板之间,并且通过交替地堆叠低折射率层和高折射率层至少一次而形成,其中,所述高折射率层接触所述基板的上表面;以及
设置在所述光控制层结构与所述阳极之间的至少一个薄膜层,其中,所述至少一个薄膜层的折射率低于所述高折射率层的折射率,并且包括下述中的至少一者:层间绝缘膜,其设置在所述薄膜晶体管的栅电极与漏电极之间;保护膜,其设置在所述薄膜晶体管上;以及平坦化膜,其设置在所述薄膜晶体管与所述阳极之间。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光控制层结构被形成为具有在所述阳极的折射率与所述基板的折射率之间的折射率。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述低折射率层的厚度大于所述高折射率层的厚度。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光控制层结构包括依次设置在所述基板上的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层和第三高折射率层。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第二低折射率层的厚度大于所述第一高折射率层、所述第二高折射率层和所述第三高折射率层中的至少一者的厚度以及所述第一低折射率层的厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述光控制层结构包括依次设置在所述基板上的第一高折射率层、第一低折射率层、第二高折射率层、第二低折射率层、第三高折射率层、第三低折射率层、第四高折射率层、第四低折射率层、第五高折射率层和第五低折射率层。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中,所述第二低折射率层和所述第四低折射率层中的至少一者的厚度大于所述第一高折射率层、所述第二高折射率层、所述第三高折射率层、所述第四高折射率层和所述第五高折射率层中的至少一者的厚度以及所述第一低折射率层、所述第三低折射率层和所述第五低折射率层中的至少一者的厚度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光显示装置,还包括第二光控制层结构,所述第二光控制层结构设置在所述基板的下表面上并通过交替地堆叠下部低折射率层和下部高折射率层至少一次而形成。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述下部高折射率层接触所述基板的下表面。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述第二光控制层结构形成在所述基板与所述基板的下表面上的空气层之间,以具有在所述基板的折射率与所述空气层的折射率之间的折射率。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述下部低折射率层的厚度大于所述下部高折射率层的厚度。
12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述发光元件中的每一个发光元件均包括:
所述阳极;
与所述阳极相对设置的阴极;以及
至少一个发光堆叠体,其设置在所述阳极与所述阴极之间,其中:
所述阳极包括透明导电材料;并且
所述阴极包括反射导电材料。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,所述至少一个发光堆叠体包括:
第一发光堆叠体,其设置在所述阳极上并具有蓝色光发射层;和
第二发光堆叠体,其设置在所述第一发光堆叠体与所述阴极之间并具有黄绿色光发射层。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述至少一个薄膜层的折射率等于所述低折射率层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的