[发明专利]锂电池保护芯片及电路

权利要求书

1.一种锂电池保护芯片，其特征在于，包括检测控制模块、升压模块和驱动模块，

所述检测控制模块通过所述升压模块与所述驱动模块连接，所述检测控制模块控制所述升压模块升高所述驱动模块的输入电压；

所述驱动模块与所述检测控制模块连接，所述检测控制模块根据外部电路工作电压的大小控制所述驱动模块启动或关闭外部电路。

2.根据权利要求1所述的锂电池保护芯片，其特征在于，还包括反馈稳压模块，所述反馈稳压模块连接在所述升压模块和所述驱动模块之间，且与所述检测控制模块连接，所述反馈稳压模块检测上述升压模块与上述驱动模块之间的电压值，并将所述检测信号反馈至所述检测控制模块。

3.根据权利要求2所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述反馈稳压模块包括电阻R1、电阻R2、运算放大器和恒压源，所述电阻R1的第一端连接在所述升压模块和所述驱动模块之间，所述电阻R1的第二端与所述电阻R2的第一端连接，所述运算放大器的同相输入端连接在所述电阻R1的第二端与所述电阻R2的第一端之间，所述电阻R2的第二端与所述恒压源的负极连接，并与接地端连接，所述运算放大器的反相输入端与所述恒压源的正极连接，所述运算放大器的输出端与所述检测控制模块连接。

4.根据权利要求1所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述检测控制模块包括检测子模块和控制子模块，所述检测子模块与所述控制子模块和所述驱动模块连接，所述控制子模块与所述升压模块和所述驱动模块连接，所述检测子模块检测外部电路工作电压的大小，并反馈至所述控制子模块，进而，所述控制子模块控制所述升压模块升高所述驱动模块的输入电压，且控制所述驱动模块启动或关闭外部电路。

5.根据权利要求1所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述升压模块包括IGBT管Q1、IGBT管Q2、耦合电容C1和负载电容Cout，所述IGBT管Q1的漏极与所述检测控制模块连接，所述IGBT管Q1的栅极连接在所述IGBT管Q1的漏极与所述检测控制模块之间，所述IGBT管Q1的源极与所述IGBT管Q2的漏极连接，所述IGBT管Q2的栅极连接在所述IGBT管Q1的源极与所述IGBT管Q2的漏极之间，所述耦合电容C1的正极连接在所述IGBT管Q1的源极与IGBT管Q2的栅极之间，所述耦合电容C1的负极与所述检测控制模块连接，所述负载电容Cout的正极连接在所述IGBT管Q2的源极和所述驱动模块之间，所述负载电容Cout的负极连接接地端。

6.根据权利要求1所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述驱动模块包括充电驱动子模块和放电驱动子模块，

所述放电驱动子模块与所述升压模块和所述检测控制模块连接，所述检测控制模块根据外部电路放电电压的大小控制所述放电驱动子模块启动或关闭外部电路；

所述充电驱动子模块与所述升压模块和所述检测控制模块连接，所述检测控制模块根据外部电路充电电压的大小控制所述充电驱动子模块启动或关闭外部电路。

7.根据权利要求6所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述放电驱动子模块包括MOS管Q3、MOS管Q4、二极管Z1和DO端口，所述MOS管Q3的源极与所述升压模块连接，所述MOS管Q3的栅极与所述检测控制模块连接，所述MOS管Q4的栅极与所述检测控制模块连接，所述MOS管Q3的漏极与所述MOS管Q4的漏极连接，所述DO端口连接在所述MOS管Q3的漏极与所述MOS管Q4的漏极之间，所述MOS管Q4的源极连接接地端，所述二极管Z1的正极连接在所述MOS管Q4的源极与接地端之间，所述二极管Z1的负极与所述DO端口连接。

8.根据权利要求6所述的锂电池保护芯片，其特征在于，所述充电驱动子模块包括MOS管Q5、MOS管Q6、二极管Z2和CO端口，所述MOS管Q5的源极与所述升压模块连接，所述MOS管Q5的栅极与所述检测控制模块连接，所述MOS管Q6的栅极与所述检测控制模块连接，所述MOS管Q5的漏极与所述MOS管Q6的漏极连接，所述CO端口连接在所述MOS管Q5的漏极与所述MOS管Q6的漏极之间，所述MOS管Q6的源极与二极管Z2的正极连接，所述检测控制模块连接在所述MOS管Q6的源极与所述二极管Z2的正极之间，所述二极管Z2的负极与所述CO端口连接。