[发明专利]CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201711184017.7 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109830487A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李杰;赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微透镜 对角 单个像素 像素 图像传感器 吸光效率 像素阵列 减小 成像 | ||
1.一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：
设置有若干像素的像素阵列；
单个像素分别设置有至少两个微透镜。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，单个像素上具有同一的彩色滤光膜，同时单个像素上设置有四个微透镜。
3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，单像素四微透镜结构中相邻的对角像素之间微透镜的对角间隙小于单像素单微透镜结构中相邻的对角像素之间微透镜的对角间隙。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，微透镜之间对应的半导体材料中由深沟槽隔离结构或掺杂区域隔离。
5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述半导体材料中包括光电二极管，所述光电二极管的部分区域隔离，另一部分区域连通。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述深沟槽隔离结构包括：
导电材料，所述导电材料耦接电压源；
及电介质材料，其位于所述深沟槽隔离结构的侧壁上且介于所述半导体材料与所述导电材料之间。
7.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述光电二极管为N型掺杂区域，所述电压源为负电压源。
8.根据权利要求6所述的背照式图像传感器，其特征在于，所述光电二极管为P型掺杂区域，所述电压源为正电压源。
9.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述导电材料包含钨、铜、铝、钛、多晶硅中的至少一种或其任意组合。
10.根据权利要求6所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述电介质材料包含氧化铪、二氧化硅、氮氧化硅、氧化铝中的至少一种或其任意组合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
