[发明专利]二维光子晶体选择性辐射器及制备方法有效
| 申请号： | 201711171711.5 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107833939B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东;方泽波 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L31/055 | 分类号： | H01L31/055;G02B6/122 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 郭云梅 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 选择性 辐射器 制备 方法 | ||
1.一种二维光子晶体选择性辐射器，其特征在于，包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体，所述二硅化钛薄膜的厚度为10纳米～100纳米，所述硅/二硅化钛二维光子晶体在表面形成二维正方点阵结构，所述周期性孔洞阵列中的孔洞间距为1微米～2微米，所述周期性孔洞阵列中的孔洞大小相同，覆盖所述二硅化钛薄膜后，所述周期性孔洞阵列中的孔洞的内直径为0.6微米～1微米，所述周期性孔洞阵列覆盖所述二硅 化钛薄膜后，所述周期性孔洞阵列中的孔洞的深度为0.2微米～0.8微米，所述二硅化钛薄膜为沉积于所述基体材料的表面，或所述二硅化钛薄膜通过在所述基体材料的表面沉积金属钛薄膜，然后退火生成。
2.一种二维光子晶体选择性辐射器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基体材料，所述基体材料为硅材料；
在所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列；
在所述基体材料的表面沉积二硅化钛薄膜，形成硅/二硅化钛二维光子晶体。
3.一种二维光子晶体选择性辐射器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基体材料，所述基体材料为硅材料；
在所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列；
在所述基体材料的表面沉积金属钛薄膜；
通过退火生成二硅化钛薄膜，形成硅/二硅化钛二维光子晶体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
