[发明专利]晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

湿法工艺中，在反应仓内对晶圆表面进行清洗。在清洗过程中，化学液冲击晶圆上表面，由于冲击力的作用，容易在反应仓内部产生化学液的溅射。大量溅射的化学液容易滴附着在反应仓的内壁上，影响反应仓的工作环境。同时，不同的化学液在反应仓内部能够通过酸碱反应生成颗粒。情况严重的，产生的颗粒能够对晶圆造成损坏，降低产品质量。

发明内容

本发明的目的是为了解决上述存在的至少一个问题，该目的是通过以下技术方案实现的。

本发明提出了一种晶圆清洗装置，其中包括第一反应仓和仓盖，所述第一反应仓用于进行晶圆的清洗，所述仓盖的本体能够设于所述第一反应仓的上方，所述本体的内部设有多个与外界相通连接的介质通道，且多个所述介质通道彼此间互不连通，任一个所述介质通道的下方均设有与所述介质通道的内部相连通的喷嘴，用于清洗所述晶圆的各种介质能够通入各自对应的所述介质通道并通过所述介质通道下方的所述喷嘴喷射到所述晶圆的表面。

进一步地，所述本体的顶部中心位置处设有伸出端，所述伸出端的内部设有多个介质管道，所述介质管道的数量与所述介质通道的数量一致，所述介质管道能够连接用于运输所述介质的介质管路和与所述介质对应的所述介质通道。

进一步地，任一个所述介质通道的下方均设有多个喷嘴，多个所述喷嘴沿同一条直线设于所述本体的底部。

进一步地，任一个所述介质通道下方的任一个所述喷嘴距所述晶圆的上表面的距离设定为使得从相邻两个所述喷嘴喷出的介质能够在所述晶圆的上表面交汇。

进一步地，任一个所述介质通道下方的所述喷嘴的数量设定为使得当所述晶圆绕自身中轴线转动时从多个所述喷嘴喷出的介质能够覆盖所述晶圆的上表面从圆心位置至晶圆边缘的圆形区域。

进一步地，所述第一反应仓的下方依次设有多个反应仓，多个所述反应仓和所述第一反应仓同轴设于主反应仓的内部，用于支撑固定所述晶圆的旋转支架能够沿多个所述反应仓和所述第一反应仓的中心轴线方向进行上下移动。

进一步地，多个所述反应仓包括第二反应仓和第三反应仓，所述第二反应仓的外侧壁上连接有第二化学介质排放管，所述第三反应仓的外侧壁上连接有第一化学介质排放管，所述第一反应仓的外侧壁上连接有排水管。

进一步地，所述旋转支架的内部设有用于排放净化气体的气体通道。

进一步地，还包括排气装置，所述排气装置设于所述主反应仓的外侧壁上并与所述主反应仓的内部相通连接。

进一步地，所述圆形区域的半径为150mm。

通过使用本发明所述的晶圆清洗装置，能够有效的防止喷射到晶圆表面的化学液发生溅射，改善反应仓内的工作环境，降低酸碱溶液发生反应产生颗粒的可能性，提高晶圆的表面质量。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1为本发明实施例的整体剖面结构示意图；

图2为图1实施例中仓盖的正面结构剖视图；

图3为图2中仓盖的俯视剖面结构示意图。

附图中各标记表示如下：

10：第一反应仓；

20：第二反应仓；

30：第三反应仓；

40：仓盖、41：本体、42：介质通道、43：喷嘴、44：伸出端、

45：介质管道；

50：晶圆；

60：介质管路；

70：旋转支架；

81：第一化学介质排放管、82：第二化学介质排放管、83：排水管、

84：气体通道；

90：回收装置；

100：主反应仓。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。