[发明专利]光侦测器有效
申请号: | 201711166455.0 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN107946331B | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 肯尼斯·戴尔;艾瑞克·李;林锡坚 | 申请(专利权)人: | 英特希尔美国公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 侦测 | ||
1.一种光侦测器,其特征在于,包括:
多个光电二极管区;
多个金属层,其位于该多个光电二极管区与表面区域之间,光学滤光片被形成为具有连续区域于该表面区域上,该连续区域覆盖具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的群组,其中该多个金属层包括最接近于其上形成有该光学滤光片的该表面区域的一最上金属层及最接近于该多个光电二极管区的一最下金属层;及
一个或多个层间介电层,其将该多个金属层彼此隔开;
其中该多个金属层中的每一个金属层包括一个或多个金属部分及一个或多个介电部分;且
其中该最上金属层在其上形成有该光学滤光片的该表面区域之下的部分不含任何金属部分。
2.根据权利要求1所述的光侦测器,其特征在于,该多个光电二极管区中的一个或多个未经其上形成有该光学滤光片的该表面区域覆盖。
3.根据权利要求1所述的光侦测器,其特征在于,该最上金属层不含任何金属部分的部分是由该最上金属层的介电部分组成。
4.根据权利要求1所述的光侦测器,其特征在于,其上形成有该光学滤光片的该表面区域的周边与该最上金属层的最接近金属部分之间的距离是至少20微米。
5.根据权利要求1所述的光侦测器,其特征在于,
具有两个或更多个该多个光电二极管区的该群组是相邻于另外一个具有被光阻挡材料覆盖的一个或多个该多个光电二极管区的群组,和一个或多个未经光阻挡材料覆盖的第二光电二极管区;且
该光阻挡材料包含除该最上金属层以外的该多个金属层中的一个或多个的一个或多个金属部分。
6.根据权利要求5所述的光侦测器,其特征在于,
位于该多个光电二极管区与其上形成有该光学滤光片的该表面区域之间的该多个金属层包含至少四个金属层;
该光阻挡材料包含最接近该多个光电二极管区的该至少四个金属层中的两个金属层中的至少一个金属层的一个或多个金属部分;且
最接近其上形成有该光学滤光片的该表面区域的该至少四个金属层中的两个金属层的在该表面区域之下的部分各自不含任何金属部分。
7.一种光侦测器,其特征在于,包括:
多个光电二极管区;
光学滤光片,具有连续区域,该连续区域覆盖具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的群组;
多个金属层位在该多个光电二极管区之上,其中该多个金属层包括最远离于该多个光电二极管区且最接近于该光学滤光片的一最上金属层及最接近于该多个光电二极管区的一最下金属层;及
一个或多个层间介电层,其将该多个金属层彼此隔开;
其中该多个金属层中的每一个金属层包括一个或多个金属部分及一个或多个介电部分;且
其中该最上金属层的连续区域覆盖具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的群组,该最上金属层的该连续区域不含任何金属部分。
8.根据权利要求7所述的光侦测器,其特征在于,不含任何金属部分且覆盖具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的该群组的该最上金属层的该连续区域是由该最上金属层的介电部分组成。
9.根据权利要求7所述的光侦测器,其特征在于,具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的该群组包括一个或多个未经光阻挡材料覆盖的第一光电二极管区及一个或多个经光阻挡材料覆盖的第二光电二极管区;及
该光阻挡材料包含除该最上金属层以外的该多个金属层中的一个或多个金属层的一个或多个金属部分。
10.根据权利要求9所述的光侦测器,其特征在于,
该多个金属层包含至少四个金属层;
该光阻挡材料包含最接近该多个光电二极管区的该至少四个金属层中的两个金属层中的至少一个金属层的一个或多个金属部分;及
最远离于该多个光电二极管区的该至少四个金属层中的两个金属层的位于覆盖具有两个或更多个彼此相邻的该多个光电二极管区的群组的该最上金属层的该连续区域的下方处的部分各自不含任何金属部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的