[发明专利]一种WS2

权利要求书

1.一种WS₂纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于，它包括以下步骤：

(a)采用不同比例的钨酸盐和硫脲进行水热反应以在金属基底上生长WS₂纳米片，得到多个工作电极；

(b)采用多种表征测试手段确定多个所述工作电极上WS₂纳米片的微观形貌特征，将硫原子区分为基面S原子和边缘S原子；对所述工作电极进行阴极极化控制测试，并根据阴极极化控制测试前后工作电极上沉积硫原子的多少确定其上WS₂纳米片中基面S原子和边缘S原子的活性，判断影响Pt沉积的决定因素；(c)定义所述边缘S原子中，与一个W原子相连并以共价键配位的两个S原子为终端S₂^2-、与两个W原子形成共价键的为终端S^2-、与三个W原子形成共价键的为顶端S^2-，根据X射线光电子能谱确定边缘S的不同种类和比例以及多个所述工作电极中WS₂纳米片边缘的W、S元素比；

(d)采用密度泛函理论计算Pt在不同边缘S原子上沉积时的自由能变化确定其对Pt的吸附能力。

2.根据权利要求1所述WS₂纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于：步骤(a)中，还选用商业二硫化钨负载在金属基底上作为工作电极的对比样品。

3.根据权利要求1所述WS₂纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于，步骤(a)中，所述工作电极的制备具体为：(a1)将金属基底进行清洗备用；(a2)将钨酸盐和硫脲溶于去离子水中形成混合溶液，置于高压釜中，放入清洗后的金属基底，进行水热反应；(a3)取出水热反应后的金属基底，用去离子水、乙醇清洗多次，干燥即可；所述钨酸盐和硫脲的摩尔比为1：2～5。

4.根据权利要求1或3所述WS₂纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于：步骤(a)中，采用不同比例的钨酸盐和硫脲以控制生长不同边缘S原子富集程度的WS₂纳米片。

5.根据权利要求2所述WS₂纳米片中S原子对Pt沉积选择的验证方法，其特征在于，所述对比样品的制备具体为：将商业二硫化钨和乙炔黑置于酒精和Nafion溶液组成的混合液中，超声分散；随后滴于碳纸上，干燥即可。