[发明专利]高频电子介质材料用活性填料及其制备方法在审
申请号: | 201711164017.0 | 申请日: | 2015-09-02 |
公开(公告)号: | CN108102139A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 彭代信;宋晓静 | 申请(专利权)人: | 苏州益可泰电子材料有限公司 |
主分类号: | C08K9/04 | 分类号: | C08K9/04;C08K3/22;C08K3/36;C08L79/04;C08L63/00 |
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地址: | 215011 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高频电子 活性填料 介质材料 制备 聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯 邻苯二甲酸二缩水甘油酯 三苯基氯硅烷 二乙基镁 发展应用 力学性能 耐热性能 己醇 水中 乙基 离子 | ||
1.一种高频电子介质材料用活性填料的制备方法,其特征在于,将三苯基氯硅烷分散于去离子水中,然后加入二乙基镁与2-乙基-1-己醇钛;然后于120℃下水热反应3小时;然后过滤反应液,滤饼烘干后于600℃煅烧1小时,自然冷却后再于950℃烧结2小时,得到的粉末加入乙醇中,分散均匀后再加入聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯,于60℃搅拌2小时,最后烘干得到填料;将填料加入邻苯二甲酸二缩水甘油酯中,125℃搅拌1小时,得到活性填料。
2.根据权利要求1所述高频电子介质材料用活性填料的制备方法,其特征在于:所述填料的粒径为450nm~680nm;所述三苯基氯硅烷、二乙基镁与2-乙基-1-己醇钛、聚氧乙烯山梨醇酐单油酸酯的质量比为1∶0.5∶0.02∶0.01;所述填料与邻苯二甲酸二缩水甘油酯的质量比为1∶1.6。
3.根据权利要求1所述高频电子介质材料用活性填料的制备方法制备的高频电子介质材料用活性填料。
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