[发明专利]一种青瓷的制备方法有效
申请号: | 201711163663.5 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107793124B | 公开(公告)日: | 2021-09-14 |
发明(设计)人: | 金乾华;李启岳;梅景丰;金建峰 | 申请(专利权)人: | 龙泉市金宏瓷业有限公司 |
主分类号: | C04B33/04 | 分类号: | C04B33/04;C04B33/24;C04B33/34;C03C8/00 |
代理公司: | 丽水布锐芝专利代理事务所(普通合伙) 33435 | 代理人: | 程志军 |
地址: | 323700 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 青瓷 制备 方法 | ||
1.一种青瓷的制备方法,其特征在于:所述青瓷采用矿物质原料和高分子材料制备胚料和釉料,所述胚料包括组分A、组分B及组分C,所述制备方法包括如下步骤:
S1:组分A、组分B及组分C的制备;
S2:胚料的浆料制备;
S3:胚体成型;
S4:胚体素烧:所述素烧包括第一阶段、第二阶段及第三阶段;所述第二阶段温度区间为200°C-600°C,期间升温速度为1-2°C/min,窑内气压保持在0.2-0.3MPa,升至600°C时保温20-30分钟;
S5:釉料的釉浆制备;
S6:上釉;
S7:釉烧:所述釉烧包括第一、第二、第三、第四及第五阶段,所述第三阶段温度区间为950°C-1000°C,期间升温速度0.5-1°C/min,窑内气压为0.3-0.5MPa,升温至1000°C时保温1.5-2个小时;
所述S7步骤中釉烧的第一阶段温度区间为常温-250°C,升温速度为0.5-1°C/min,升温过程中向窑中通入干燥的氮气并保持烟囱调至最大的抽力,升温至200°C时保温1-1.5个小时;第二阶段温度区间为250°C-950°C,升温速度3-4°C/min,升温至950°C时保温1-1.5个小时;第四阶段温度区间为1000°C-1200°C,升温速度3-4°C/min,升温至1200°C时保温1-1.5个小时;第五阶段温度区间为1200°C-1280°C,升温速度0.5-1°C/min,期间窑内气压控制在0.03-0.05MPa;升温至1280°C时保温2-2.5小时后自然冷却及可得到成品;
所述S4中素烧第一阶段温度区间为常温-200°C,升温速度为0.5-1°C/min,升至200°C时保温20-30分钟,期间保持向窑内通入干燥的氮气,烟囱开启最大抽力;第三阶段温度区间为600°C-1000°C,升温速度为2-3°C/min;升至1000°C后保温30-40分钟后自然冷却;
所述S2步骤中胚料的浆料制备包括将组分A、组分B及组分C按重量比10:5:1混合均匀,并加入适量的硅酸钠和水一起放入搅拌机中进行搅拌,从而得到胚料的浆料;
所述胚料的组分A按重量份数计为高岭土115份、熟滑石18份、白云石28份及高铝矾土16份, 组分B按重量份数计为石英45份、菱镁石16份及方解石44份, 组分C按重量份数计为长链脂肪酸酯7份、聚乙烯蜡9份、环氧树脂4份、有机硅树脂4份、聚酰亚胺7份;或所述胚料的组分A按重量份数计为高岭土120份、熟滑石20份、白云石30份、高铝矾土20份,组分B按重量份数比计为石英50份、菱镁石20份、方解石50份、组分C10份,组分C按重量份数比计为长链脂肪酸酯8份、聚乙烯蜡12份、环氧树脂5份、有机硅树脂5份、聚酰亚胺8份;或所述胚料的组分A按重量份数比计为高岭土115份、熟滑石18份、白云石28份、高铝矾土16份,组分B按重量份数计为石英45份、菱镁石16份、方解石44份,组分C的按重量份数计为长链脂肪酸酯7份、聚乙烯蜡9份、环氧树脂4份、有机硅树脂4份、聚酰亚胺7份。
2.根据权利要求1所述的青瓷的制备方法,其特征在于:所述S1步骤中组分A的制备包括将白云石、高铝矾土、高岭土及熟滑石分别进行烘干、碾碎,然后一起放入球磨机中进行球磨,磨至过500目筛;组分B的制备包括将石英、菱镁石及方解石分别进行烘干、碾碎,然后一起放入球磨机中进行球磨,磨至过500目筛;组分C的制备包括:将长链脂肪酸酯、聚乙烯蜡、环氧树脂、有机硅树脂、聚酰亚胺加水混合,并加热搅拌至溶解得到混合溶液,然后将混合溶液进行烘干、碾碎。
3.根据权利要求1所述的青瓷的制备方法,其特征在于:所述S5步骤中釉料的釉浆制备包括将干燥处理后的高岭土、黏土、石英、硅灰石、白云母、釉灰分别碾碎,然后一起放入球磨机中加水进行球磨,磨至料浆过400目筛后制得釉浆。
4.根据权利要求2所述的青瓷的制备方法,其特征在于:所述搅拌机包括罐体(1)、设于所述罐体内的转轴(2)、用于驱动所述转轴转动的驱动电机(3)及设于所述转轴上的搅拌轮(4),所述转轴上设有振动机构(5)。
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