[发明专利]栅极侧墙的工艺方法在审
| 申请号： | 201711163456.X | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978555A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 郭振强 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 工艺 方法 | ||
1.一种栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：包含：
步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；
步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；形成栅极二氧化硅保护层；
步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极顶部的氮氧化硅；
步骤四，进行源漏区注入及形成钴硅合金；形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨；进行接触孔刻蚀。
2.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，多晶硅及氮氧化硅均采用化学气相沉积法。
3.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，其中氮氧化硅层的最优的厚度是形成栅极曝光时的底部抗反射涂层的厚度；最优的厚度为大于后续栅极侧墙氮化硅的厚度。
4.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤二中，对栅极进行快速热退火或炉管工艺形成二氧化硅保护层。
5.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤三中，利用低压化学沉积的方法形成氮化硅和二氧化硅，采用湿法刻蚀掉栅极顶部的氮氧化硅。
6.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤四中，利用化学气相沉积工艺形成刻蚀阻挡层及接触孔介质层。
7.如权利要求1所述的栅极侧墙的工艺方法，其特征在于：所述步骤四中，接触孔采用干法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
