[发明专利]制备稀土永磁体的方法

权利要求书

1.一种制备稀土永磁体的方法，其包括：

制备NdFeB烧结磁体；

用包含R氢化物或R氟化物以及R_aM_b或M的晶界扩散材料涂布NdFeB烧结磁体的表面，以形成晶界扩散涂层；以及

通过热处理将晶界扩散材料扩散到NdFeB烧结磁铁的晶界中，

其中M是具有比扩散过程中热处理温度高的熔点的金属，R是稀土元素，并且a和b各自表示满足以下方程式(1)和(2)的原子百分比：

0.1<a<99.9--------------(1)

a+b＝100----------------(2)。

2.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其中M是熔点为1000℃或更高的金属。

3.根据权利要求2所述的制备稀土永磁体的方法，其中R是选自镝、铽、钕、镨和钬中的任何一种，以及

M是钴。

4.根据权利要求3所述的制备稀土永磁体的方法，其中在制备中，NdFeB烧结磁体包含：以总重量计的30至35重量％的包含镝、铽、钕和镨的稀土元素，以总重量计的0至10重量％的包含钴、铝、铜、镓、锆和铌的过渡金属，10重量％的硼，以及余量的铁。

5.根据权利要求3所述的制备稀土永磁体的方法，其中在涂布中，晶界扩散材料包含1至7重量％的钴。

6.根据权利要求5所述的制备稀土永磁体的方法，其中在涂布中，R氢化物是TbH₂、TbH₃、DyH₂和DyH₃中的任何一种，并且R氟化物是TbF₂、TbH₃、DyF₂和DyF₃中的任何一种。

7.根据权利要求1所述的制备稀土永磁体的方法，其中在涂布中，涂层通过以下方式形成：用晶界扩散材料通过喷涂、悬浮粘附或滚镀处理来涂布NdFeB烧结磁体的表面。

8.根据权利要求4所述的制备稀土永磁体的方法，其中晶界扩散材料包含在10至70重量％范围内的量的R，并且该量高于存在于NdFeB烧结磁体中的稀土元素的量。

9.根据权利要求3所述的制备稀土永磁体的方法，其中涂布包括：

熔融R氢化物或R氟化物以及R_aM_b或M以制备钴熔融合金；

冷却钴熔融合金以制备钴合金锭；

研磨钴合金锭以制备粉末状晶界扩散材料；以及

用晶界扩散材料涂布NdFeB烧结磁体的表面以形成晶界扩散涂层。

10.根据权利要求2所述的制备稀土永磁体的方法，其中扩散通过在惰性气氛下加热到700至1000℃的温度来进行。