[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201711160206.0 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108122948B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 朴泰翰;李敬勳;柳东熙;林亨俊 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示OLED装置,包括具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的像素,
其中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个包括:
包括反射金属材料的第一电极;
设置在所述第一电极上的有机发光层;
设置在所述有机发光层上并且由透明金属材料形成的第二电极;和
设置在所述第二电极上的半透射电极,
其中所述第一子像素的第一电极与半透射电极之间的第一距离、所述第二子像素的第一电极与半透射电极之间的第二距离和所述第三子像素的第一电极与半透射电极之间的第三距离彼此不同,
其中所述第一子像素还包括:
设置在所述第一子像素的第二电极上的光活性有机膜的第一部分;和
设置在所述光活性有机膜的第一部分上的第一光学辅助层,
其中所述第二子像素还包括:
设置在所述第二子像素的第二电极上的所述光活性有机膜的第二部分;和
设置在所述光活性有机膜的第二部分上的第二光学辅助层,
其中所述第三子像素还包括:
设置在所述第三子像素的第二电极上的所述光活性有机膜的第三部分;和
设置在所述光活性有机膜的第三部分上的第三光学辅助层,
其中所述光活性有机膜包括二芳基乙烯分子,
其中所述第一光学辅助层的厚度、所述第二光学辅助层的厚度和所述第三光学辅助层的厚度彼此不同,并且
其中所述第一子像素的半透射电极设置在所述第一光学辅助层上,其中所述第二子像素的半透射电极设置在所述第二光学辅助层上,并且所述第三子像素的半透射电极设置在所述第三光学辅助层上。
2.一种有机发光显示OLED装置,包括具有第一子像素、第二子像素和第三子像素的像素,
其中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个包括:
包括反射金属材料的第一电极;
设置在所述第一电极上的有机发光层;
设置在所述有机发光层上并且由透明金属材料形成的第二电极;和
设置在所述第二电极上的半透射电极,
其中所述第一子像素的第一电极与半透射电极之间的第一距离、所述第二子像素的第一电极与半透射电极之间的第二距离和所述第三子像素的第一电极与半透射电极之间的第三距离彼此不同,
其中所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的每一个的有机发光层包括:
设置在所述第一电极上的空穴传输层;
设置在所述空穴传输层上的发光层;和
具有电子传输能力的光活性有机膜,其中所述光活性有机膜设置在所述发光层上,
其中所述光活性有机膜包括二芳基乙烯分子,并且
其中所述第一子像素中的第二电极的厚度、所述第二子像素中的第二电极的厚度和所述第三子像素中的第二电极的厚度彼此不同。
3.一种发光显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上的第一子像素,所述第一子像素包括:第一底部电极;位于所述第一底部电极上的有机发光层的至少第一部分;位于所述有机发光层的第一部分上的第一导电膜;和位于所述第一导电膜上的半透射电极的至少第一部分;以及
位于所述基板上的第二子像素,所述第二子像素包括:第二底部电极;位于所述第二底部电极上的所述有机发光层的至少第二部分;位于所述有机发光层的第二部分上的第二导电膜;和位于所述第二导电膜上的所述半透射电极的至少第二部分,
其中所述第二导电膜的厚度大于所述第一导电膜的厚度,
其中所述发光显示装置还包括设置在所述第一导电膜和所述第二导电膜的下方的光活性有机膜,并且
其中所述光活性有机膜包括二芳基乙烯分子。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置,其中位于所述第一导电膜下方的所述光活性有机膜的第一部分的疏水性大于位于所述第二导电膜下方的所述光活性有机膜的第二部分的疏水性,并且其中所述光活性有机膜的第一部分和第二部分的疏水性小于不与所述第一导电膜或所述第二导电膜交叠的所述光活性有机膜的第三部分的疏水性。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的