[发明专利]一种逆阻型IGBT在审
| 申请号： | 201711155622.1 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107731901A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;刘庆;黄琳华;魏杰;李聪;魏雨夕;苏伟;曾莉尧;曹厚华;莫日华;孙燕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 逆阻型 igbt | ||
【权利要求书】：
1.一种逆阻型IGBT，包括N型高阻区，其特征在于，在N型高阻区上表面中部具有第二N型区(6)，位于第二N型区(6)上表面的P阱(1)，并列位于P阱(1)上表面的N型发射区(2)和P型接触区(3)；其中N型发射区(2)和P型接触区(3)相互独立，其共同引出端为发射极；N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽，与N型发射区(2)接触的沟槽为槽栅(4)，槽栅(4)包含位于槽内壁的第一绝缘介质层(41)和由第一绝缘介质层(41)包围的第一导电材料(42)，由槽栅(4)中的第一导电材料(42)引出栅电极；与P型接触区(3)接触的沟槽为槽结构(5)，槽结构(5)包含位于槽内壁的第二绝缘介质层(51)和由第二绝缘介质层(51)包围的第二导电材料(52)；
在N型高阻区下表面具有第一N型层(7)，所述第一N型层(7)的下层具有多个不连续的P+集电区(8)，P+集电区(8)的掺杂浓度高于N型高阻区的掺杂浓度，P+集电区(8)的引出端为集电极；在相邻的2个P+集电区(8)之间的第一N型层(7)中，具有P型层(9)。
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