[发明专利]一种逆阻型IGBT

权利要求书

1.一种逆阻型IGBT，包括N型高阻区，其特征在于，在N型高阻区上表面中部具有第二N型区(6)，位于第二N型区(6)上表面的P阱(1)，并列位于P阱(1)上表面的N型发射区(2)和P型接触区(3)；其中N型发射区(2)和P型接触区(3)相互独立，其共同引出端为发射极；N型高阻区上表面两侧具有两个对称的沟槽，与N型发射区(2)接触的沟槽为槽栅(4)，槽栅(4)包含位于槽内壁的第一绝缘介质层(41)和由第一绝缘介质层(41)包围的第一导电材料(42)，由槽栅(4)中的第一导电材料(42)引出栅电极；与P型接触区(3)接触的沟槽为槽结构(5)，槽结构(5)包含位于槽内壁的第二绝缘介质层(51)和由第二绝缘介质层(51)包围的第二导电材料(52)；

在N型高阻区下层，具有间隔分布的多个第一N型层(7)，在每个第一N型层(7)的下层具有P型区(8)，P型区(8)和N型高阻区被第一N型层(7)阻隔；其中P型区(8)的掺杂浓度高于N型高阻区掺杂浓度；在N型高阻区下表面，两相邻的P型区(8)之间具有第三绝缘介质层(9)，所述第三绝缘介质层(9)与P型区(8)相接触；所述P型区(8)引出端为集电极，且集电极覆盖于第三绝缘介质层(9)上；施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在低浓度的漂移区内扩展，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被槽结构、槽栅及N2共同截至，实现好的反向阻断能。

2.根据权利要求1所述的逆阻型IGBT，其特征在于，所述第二导电材料(52)与发射极电气相连；

3.根据权利要求1所述的逆阻型IGBT，其特征在于，第二导电材料(52)不与任何电极有电气相连，槽结构(5)为电位浮空的沟槽结构。