[发明专利]一种异质结双极性晶体管

说明书

本发明公开了一种具有高增益的异质结双极性晶体管，包括一个长条形基极基座、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层；所述长条形集极区域位于所述基极基座之下；两个长条形集极金属层分别位于所述集极区域之上、所述基极基座相对之两侧；所述异质结双极性晶体管还包括一个位于所述基极基座上方的8字形射极外延层，以及分别设于所述基极基座上、所述8字形射极外延层两侧的凹陷部内的两个基极金属层。本发明的一种具有高增益的异质结双极性晶体管，通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到在一定频率范围内提高射频增益的目的。

技术领域

本发明涉及一种异质结双极性晶体管。

背景技术

随着电话通讯和信息化产品等不断发展，功率放大器的特性指标需求竞争激烈，于是较高特性指标的器件结构，就成了重要的器件设计指标。异质结双极性晶体管(HBT)的性能指标中，射频增益(RF Gain)是重要的衡量指标之一。

在现有的技术上，图1所示的异质结双极性晶体管设计结构为BEB结构，即基极基座上的基极金属与射极指叉形状为“基极-射极-基极”。由于缩小基极基座(BasePedestal；BP)可降低基-集接面电容效应(Base-Collector Junction Capacitance,Cbc)，从而提高射频增益(当应用在频率小于最大增益Gmax稳态转折频率时)，因此出现了图2所示的结构为EBE结构，即基极基座上的基极金属与射极指叉形状为“射极-基极-射极”。为了进一步缩小基极基座提高射频增益，图3所示的结构为Type-H结构，即射极形状为H形状，此结构有更高的射极-基极占比，因此有更佳的射频增益。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足，提出一种异质结双极性晶体管，其通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到在一定频率范围内提高射频增益的目的。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种异质结双极性晶体管，包括一个长条形基极基座、一个长条形集极区域和两个长条形集极金属层；所述长条形集极区域位于所述基极基座之下；两个长条形集极金属层分别位于所述集极区域之上、所述基极基座相对之两侧；所述异质结双极性晶体管还包括：

一个8字形射极外延层，位于所述基极基座上方；

两个基极金属层，分别设于所述基极基座上、所述8字形射极外延层两侧的凹陷部内。

优选的，所述基极基座的宽度范围为大于5um且小于20um，其长度范围为大于20um且小于100um。

优选的，所述8字形射极外延层的宽度范围为大于1.6um且小于4um，其长度范围为大于20um且小于100um，且其宽度的两倍小于所述基极基座的宽度，其长度小于所述基极基座的长度。

优选的，所述8字形射极外延层与所述基极基座外边之间间隙的范围为大于0um且小于2um。

优选的，所述基极金属层的宽度范围为大于1um且小于1.4um，其长度范围为大于10um且小于40um，且所述两个基极金属层长度之和小于所述8字形射极外延层的长度。

优选的，所述基极金属层与所述8字形射极外延层之间间隙的范围为大于0.5um且小于1.0um。

优选的，所述8字形射极外延层的凹陷部设于所述基极基座的短轴中央处或邻近中央处。

优选的，每一个基极金属层，于其邻近基极基座中央处的一端设有一个基极导孔。

优选的，所述基极基座及所述集极区域均为长方形；或者，均为椭圆形。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：