[发明专利]一种射频功率放大器

说明书

本申请提出一种射频功率放大器，包括：依次连接的输入匹配电路、第一级共发共基放大器、级间匹配电路、第二级功率放大器和输出匹配电路；所述输入匹配电路将从收发器的输出阻抗匹配到所述第一级共发共基放大器的输入阻抗，所述第一级共发共基放大器对输出的射频功率进行功率放大，所述级间匹配电路将所述第一级共发共基放大器的输出阻抗匹配到所述第二级功率放大器的输入阻抗，所述第二级功率放大器对所述第一级共发共基放大器的输出的射频功率进行功率放大，所述输出匹配电路将所述第二级功率放大器的输出阻抗匹配到天线端。

技术领域

本发明涉及通信传输技术领域和芯片设计领域，具体涉及一种射频功率放大器。

背景技术

当前，随着无线射频系统的发展，各种无线通信终端得到了广泛应用。这些无线通信终端都用射频功率放大器来提高射频信号的功率强度，然后通过天线把射频信号发送出去。随着4G+和5G通信系统的到来，无线通信系统对射频功率放大器的要求愈发提高。另外，无线通信终端的体积也越来越小，集成度越来越高，在单个芯片中实现多模多频的需求也就愈发迫切，这就要小型化和低成本的条件下，对射频功率放大器的增益提出了新的需求。

目前射频通讯系统的信号带宽越来越宽，使用的频段越来越高，从0.9GHz、1.9GHz到2.5GHz,以及3.5GHz到未来的Sub6GHz。对射频PA(PowerAmplifier，功率放大器)的要求越来越高。以当前主流的4G手机PA产品为例，以前在0.9GHz频段，需要两级放大，增益就满足需求了。到2.5GHz时，尤其应用在LTE(Long Term Evolution，长期演进)领域时，两级放大的架构，增益明显不够。这时候，解决这个问题的方案大部分是用三级放大，或者使用高β值的GaAs(砷化镓)工艺，这样会PAD(PCB(印刷电路板)中的焊盘)增多，面积加大或是wafer(晶元)价格增长而导致成本增加。

发明内容

本发明提供一种射频功率放大器，在无线射频通讯系统频率增加成本不增加的情况下，PA产品增益满足需求。

为了实现上述发明目的，本发明采取的技术方案如下：

一种射频功率放大器，包括：

依次连接的输入匹配电路、第一级共发共基放大器、级间匹配电路、第二级功率放大器和输出匹配电路；

所述输入匹配电路将从收发器的输出阻抗匹配到所述第一级共发共基放大器的输入阻抗，所述第一级共发共基放大器对输出的射频功率进行功率放大，所述级间匹配电路将所述第一级共发共基放大器的输出阻抗匹配到所述第二级功率放大器的输入阻抗，所述第二级功率放大器对所述第一级共发共基放大器的输出的射频功率进行功率放大，所述输出匹配电路将所述第二级功率放大器的输出阻抗匹配到天线端。

优选地，所述第一级共发共基放大器包括：第一晶体管、第一偏置电路、第二晶体管、第二偏置电路和第一阻风门。

所述第一晶体管的基极连接所述输入匹配电路和所述第一偏置电路，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二晶体管的发射极，所述第二晶体管基极连接所述第二偏置电路，所述第二晶体管的集电极连接所述第一阻风门和所述级间匹配电路。

优选地，所述第一级共发共基放大器还包括电感，所述第一晶体管的发射极通过所述电感接地。

优选地，所述第一阻风门包括第一电感。

优选地，所述第一阻风门通过电阻与所述第二晶体管的集电极连接。

优选地，所述第二级功率放大器包括：第三晶体管、第三偏置电路和第二阻风门。

所述第三晶体管的基极连接所述级间匹配电路和所述第三偏置电路，所述第一晶体管的发射极接地，所述第一晶体管的集电极连接所述第二阻风门和所述输出匹配电路。

优选地，所述第二阻风门包括第二电感。