[发明专利]生物传感器装置有效
申请号: | 201711134772.4 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN108258034B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 林致廷;呂学士;陈又豪;周圣烨;王义舜;黄哲伟;严沛文 | 申请(专利权)人: | 林致廷 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423 |
代理公司: | 上海音科专利商标代理有限公司 31267 | 代理人: | 刘香兰 |
地址: | 中国台湾台北市中山区民*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生物 传感器 装置 | ||
一种生物传感器装置,包括:基板;感测晶体管,其形成于该基板上,且包括下栅极结构、上栅极结构、以及设置在该下栅极结构和该上栅极结构之间的半导体层,该下栅极结构电性连接至该上栅极结构;隔离层,其形成于该感测晶体管上,以覆盖该感测晶体管,且包括第一开口;以及主界面层,其设置在该第一开口中,以接收欲感测的生物分子,该主界面层电性连接至该上栅极结构。
技术领域
本发明涉及传感器,尤其是涉及生物传感器装置(Biosenser device)。
背景技术
生物传感器可用于测量生物特征,例如:血球、蛋白质、醣、抗体、或金属离子等。生物传感器的优点在于其所具有的高专一性、高敏感度以及高选择性,并可应用于医药、生物技术、食品、农业及环境监测等领域。
生物传感器有许多类型,例如:电化学生物传感器、半导体离子传感器、光纤光学生物传感器以及压电石英晶体生物传感器。图1中示出习知的传感器装置1。在习知的传感器装置1的制造中,二氧化硅(SiO2)层12是设置在多晶层11上。块材13覆盖SiO2层12和多晶层11。块材13和SiO2层12被蚀刻以形成井14。多晶层11作为感测元件使用。
然而,在习知的传感器装置1的制造中,块材13必须被蚀刻得很深,这是难以控制的,且必须有另一程序用于蚀刻SiO2层12。另外,对于SiO2层12的这种蚀刻,由于不兼容于标准CMOS工艺,难以控制SiO2层12的保留厚度,导致习知的传感器装置1的良率不佳。
因此,有必要提供一种改良的生物传感器,以减缓或解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种生物传感器装置,根据该生物传感器装置,能够通过增强感测信号的强度以及去除环境噪声干扰而增进敏感度。
本发明的另一目的在于提供一种生物传感器装置,根据该生物传感器装置,能够通过标准CMOS工艺加以制造,进而降低制造成本。
为了达成上述目的,本发明的生物传感器装置包括:基板;感测晶体管,其形成于基板上,且包括下栅极结构、上栅极结构以及设置在下栅极结构及上栅极结构之间的半导体层,下栅极结构电性连接至上栅极结构;隔离层,其形成于感测晶体管上,以覆盖感测晶体管,且包括第一开口;以及主界面层,其设置在第一开口中,以接收欲感测的生物分子,主界面层电性连接至上栅极结构。
通过以下配合附图的详细说明,本发明的其他目的、优点及新颖的特征将更加明确。
附图说明
图1中示出习知的传感器装置。
图2中示出本发明的生物传感器装置的第一实施例。
图3中示出本发明第一实施例的感测晶体管的立体图。
图4中示出本发明的生物传感器装置的第二实施例。
图5中示出本发明第二实施例的感测晶体管的立体图。
图6中示出本发明的生物传感器装置的第三实施例。
图7中示出本发明的生物传感器装置的第四实施例。
图8中示出本发明的生物传感器装置的第五实施例。
(符号说明)
1 习知的传感器装置
11 多晶层
12 二氧化硅层
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