[发明专利]一种改善流场均匀性的装置在审
| 申请号： | 201711132312.8 | 申请日： | 2017-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN107699866A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 张晰;李建章;王义洪;王鹏;姜伟光;成来飞 | 申请（专利权）人： | 西安鑫垚陶瓷复合材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 杨引雪 |
| 地址： | 710065 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 均匀 装置 | ||
1.一种改善流场均匀性的装置，其特征在于：包括壳体(6)、缓冲隔板(2)、底层挡板(3)、气体缓冲区(4)和气体预热分配区(5)；
所述壳体(6)包括外层筒体(62)和进气盖板(61)，所述进气盖板(61)设置在外层筒体(62)的顶部，且中心设置有进气孔；
所述缓冲隔板(2)设置在外层筒体(62)的腔体内；
所述底层挡板(3)设置在外层筒体(62)的底部；
所述缓冲隔板(2)将进气盖板(61)和底层挡板(3)之间的腔体分为两个区域，缓冲隔板(2)和进气盖板(61)之间的腔体为气体缓冲区(4)，用于气体进入后进行缓冲；缓冲隔板(2)和底层挡板(3)之间的腔体为气体预热分配区(5)，用于为进入反应区的反应气体进行充分预热和混合；
所述缓冲隔板(2)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径逐渐增大的气孔，所述底层挡板(3)上设有若干由中心向圆周方向呈放射状分布且孔径不变的气孔(8)；所述缓冲隔板(2)的过流面积小于底层挡板(3)的过流面积。
2.根据权利要求1所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔孔径为缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔孔径的3～6倍。
3.根据权利要求2所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔孔径为缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔孔径的4倍。
4.根据权利要求1至3任一所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)上最大气孔的孔径不超过中心气孔孔径的4倍。
5.根据权利要求4所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)上最大气孔的孔径为中心气孔孔径的2.5倍。
6.根据权利要求5所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述气体缓冲区(4)与气体预热分配区(5)的容积比为1：15～1：20。
7.根据权利要求6所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述气体缓冲区(4)与气体预热分配区(5)的容积比为1：18.5。
8.根据权利要求7所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)的过流面积与底层挡板(3)的过流面积比为1:1.12。
9.根据权利要求8所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述缓冲隔板(2)和底层挡板(3)中心气孔的孔径相同。
10.根据权利要求9所述的改善流场均匀性的装置，其特征在于：所述进气盖板(61)进气孔处设置有进气管(7)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
