[发明专利]一种阵列基板、显示面板及电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体显示领域，特别是涉及一种阵列基板，含有其的显示面板与电子设备。

背景技术

人的感觉器官中接受信息最多的是视觉器官(眼睛)，在生产和生活中，人们需要越来越多地利用丰富的视觉信息，因而显示技术在当今人类社会中扮演着非常重要的角色。显示技术自出现至今，技术发展也非常迅猛，先后出现了阴极射线管技术(CRT)、等离子体显示(PDP)、液晶显示(LCD)，乃至最新的OLED显示、micro LED显示技术。随着社会的发展和人类对物质生活需求的不断提高，当今显示技术正在朝着高对比度、高分辨力、全彩色显示、低功耗、可靠性高、长寿命以及薄而轻的方向快速迈进。

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在显示面板中成为可能。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。现有技术中，如何在TFT截止状态有效地减小漏电流，是业内面临的重要难题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板，含有其的显示面板与电子设备。

本发明的第一方面提供了一种阵列基板，包括基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，第一方向垂直于第二方向，其中第一薄膜晶体管包括：

栅极，位于基底的一侧；

栅极绝缘层，位于栅极远离基底的一侧；

有源层，位于栅极绝缘层远离基底的一侧，在第一方向上，有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；

阻挡层，位于有源层远离基底的一侧，阻挡层在有源层上的垂直投影覆盖第二有源区；

源极，至少覆盖第一有源区，且与第一有源区电连接；

漏极，至少覆盖第三有源区，且与第三有源区电连接；

第一凹槽，位于第二有源区靠近第一有源区的一侧。

本发明第二方面提供了一种包含上述阵列基板的显示面板。

本发明第三方面还提供了一种包含上述的显示面板的电子设备。

本发明提供的阵列基板，含有其的显示面板与电子设备，具有基底以及设置于其上的第一薄膜晶体管，在平行于所述基底的平面内具有第一方向和第二方向，第一方向垂直于第二方向，其中第一薄膜晶体管包括：栅极，位于基底的一侧；栅极绝缘层，位于栅极远离基底的一侧；有源层，位于栅极绝缘层远离基底的一侧，在第一方向上，有源层依次分为第一有源区，第二有源区和第三有源区；阻挡层，位于有源层远离基底的一侧，阻挡层在有源层上的垂直投影覆盖第二有源区；源极，至少覆盖第一有源区，且与第一有源区电连接；漏极，至少覆盖第三有源区，且与第三有源区电连接；第一凹槽，位于第二有源区靠近第一有源区的一侧。通过上述设计，可以很大程度地减小薄膜晶体管在截止状态时的电子迁移路径，使得有源层中泄漏电流的情况得到很好地抑制，从而极大地降低TFT中的漏电流，提升TFT器件和显示面板的性能，节约能耗，并能够有效增加电子设备的使用寿命。

附图说明

图1是本申请一个实施例所提供的阵列基板示意图；

图2是沿图1中AA’方向的截面图；

图3是本申请另一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；

图4是沿图3中BB’方向的截面图；

图5是本申请一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管有源层结构的俯视图；

图6是本申请又一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；

图7是沿图6中CC’方向的截面图；

图8是本申请再一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；

图9是本申请又一个实施例所提供的阵列基板中第一薄膜晶体管的示意图；

图10是本申请一个实施例提供的显示面板的示意图；

图11是本申请一个实施例提供的电子设备的示意图；

图12是本申请一个实施例提供的制备方法流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。