[发明专利]显示装置及其制造方法

说明书

显示装置及其制造方法。公开了一种能够防止在划线中形成封装膜的显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板，该基板具有设置有像素的显示区域和围绕显示区域的非显示区域；封装膜，该封装膜包括覆盖显示区域的无机膜；以及缓冲层。该缓冲层以与显示区域相隔预定间隔地设置在非显示区域中并且与无机膜的边缘接触。

技术领域

本发明的实施方式涉及显示装置及其制造方法。

背景技术

随着信息社会的发展，对于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。因此，诸如液晶显示器(LCD)装置和等离子体显示面板(PDP)这样的非自发射型显示装置以及诸如有机发光显示(OLED)装置和量子点发光显示(QLED)装置这样的电致发光显示装置已被使用。

在这些显示装置当中，OLED装置和QLED装置是自发光显示装置。与LCD装置相比，OLED装置和QLED装置具有更宽的视角和更大的对比度。此外，与LCD装置不同，因为OLED装置和QLED装置不需要单独的光源，所以OLED装置和QLED装置可以以轻重量和小尺寸制造，而且考虑到功耗，OLED装置和QLED装置是有利的。此外，OLED装置和QLED装置可以由低的DC电压驱动，并且OLED装置和QLED装置中的每一个中的响应速度是快速的。特别地，OLED装置和QLED装置可以具有制造成本低的优点。

OLED装置可以包括分别设置有发光器件的像素和用于划分像素以便限定像素的堤。堤用作像素限定膜。发光器件可以包括阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极。在这种情况下，当向阳极施加高电位电压，并且向阴极施加低电位电压时，空穴和电子分别经由空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层，然后在有机发光层中彼此复合，从而发出光。

由于诸如湿气和氧气这样的外部环境因素，发光器件可能容易劣化。为了防止发光器件的劣化，OLED装置可以包括用于防止外部湿气和氧气渗透到发光器件内部的封装膜。

QLED装置包括发光结构。发光结构可以包括阳极、与阳极相对的阴极以及设置在阳极和阴极之间的发光器件。发光器件可以包括空穴传输层、发光层和电子传输层。发光层可以包括量子点材料。

图1例示了具有多个显示面板的母基板。图2是示出了相关技术的显示装置的沿着图1的I-I'的截面图。图3是用于说明相关技术的显示装置中的无机膜的制造方法的截面图。

参照图1至图3，为了方便处理，制备母基板(MS)以同时制造多个显示面板(PNL)。多个显示面板(PNL)彼此分离，其中每个分离的显示面板(PNL)用作显示装置。在母基板(MS)上同时制造多个显示面板(PNL)，然后通过切割处理或划线处理使多个显示面板(PNL)彼此分离。

在相关技术的显示装置中，在具有发光器件20的基板10上设置封装膜30。在这种情况下，封装膜30可以包括第一无机膜30a、有机膜30b和第二无机膜30c。封装膜30防止湿气或氧气渗透到发光层和电极中。

通过化学气相沉积(CVD)方法将第一无机膜30a和第二无机膜30c沉积在基板10上。在CVD方法的情况下，如图3所示，在基板10上设置掩模40，然后将包含用于第一无机膜30a或第二无机膜30c的元素的气体供应到基板10。所供应的气体在基板的未设置掩模40的表面中产生化学反应，由此在基板10的未设置掩模40的表面上形成第一无机膜30a或第二无机膜30c。

然而，当掩模40以与基板10相隔预定间隔设置时，气体渗透到掩模40与基板10之间的间隔中，以使得在与基板10的设置掩模40的预定区域对应的表面中产生化学反应。因此，甚至在与基板10的设置掩模40的预定区域对应的表面中也可以形成第一无机膜30a或第二无机膜30c。