[发明专利]一种EEPROM及其擦除、编程和读方法

权利要求书

1.一种EEPROM的擦除方法，所述EEPROM包括多个呈阵列排布的分栅存储单元，每一所述分栅存储单元包括源极、漏极、与第一存储位相连的第一控制栅、字线栅以及与第二存储位相连的第二控制栅，所述字线栅连接字线，所述源极连接第一位线，所述漏极连接第二位线；

所述第一控制栅连接第一控制栅线，所述第二控制栅连接不同于所述第一控制栅线的第二控制栅线；

其中，每N列所述分栅存储单元形成于一个第一阱结构上，相邻的第一阱结构之间采用掺杂类型不同于所述第一阱结构的第二阱结构隔开，N为正整数；

其特征在于，包括：

对所述分栅存储单元所在的第一阱结构施加第一阱电压；

对所述第一控制栅线施加擦除电压；

对所述第二控制栅线施加不同于所述擦除电压的第一控制电压；

对所述字线施加字线电压，所述字线电压小于所述第一阱电压；

对所述第一位线施加第一位线电压；

对所述第二位线施加第二位线电压；

其中，所述第一阱电压与所述擦除电压的压差使得所述第一存储位上存储的电子被擦除，所述第一阱电压与所述第一控制电压的压差阻止所述第二存储位上存储的电子被擦除。

2.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第一阱电压的范围为8V至12V，所述擦除电压的范围为-6V至-10V，所述第一控制电压的范围为0V至4V，所述字线电压的范围为-2V至2V。

3.根据权利要求1或2所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第一位线电压和第二位线电压等于所述第一阱电压。

4.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，还包括：

对与所述分栅存储单元处于同一行的分栅存储单元所在的所有第一阱结构施加第二阱电压，以阻止与所述分栅存储单元处于同一行的分栅存储单元中的第一存储位上存储的电子被擦除。

5.根据权利要求4所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第二阱电压的范围为-2V至2V。

6.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，还包括：

对与所述分栅存储单元处于同一列的分栅存储单元所连接的第一控制栅线施加第二控制电压，以阻止与所述分栅存储单元处于同一列的分栅存储单元中的第一存储位上存储的电子被擦除，其中，所述第二控制电压与所述第一控制电压相等或不等。

7.根据权利要求6所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第二控制电压的范围为0V至4V。

8.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第一阱结构为P阱，所述第二阱结构为N阱。

9.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，所述第一阱结构和第二阱结构形成于深N阱上。

10.根据权利要求1所述的EEPROM的擦除方法，其特征在于，N为8。