[发明专利]太阳能电池光接收表面的UV固化

说明书

本文描述了使用太阳能电池光接收表面的UV固化制造太阳能电池的方法，以及所得的太阳能电池。在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括在硅基板的光接收表面上形成钝化介电层。该方法还包括在所述钝化介电层下形成抗反射涂层(ARC)。该方法还包括将所述抗反射涂层暴露于紫外(UV)辐射。该方法还包括在将所述抗反射涂层暴露于紫外辐射之后，对所述抗反射涂层进行热退火。

技术领域

本公开的实施例属于可再生能源领域，具体而言，涉及太阳能电池光接收表面的UV固化。

背景技术

光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于将太阳辐射直接转换为电能的装置。一般来讲，使用半导体加工技术在半导体基板的表面附近形成p-n结，从而在半导体晶片或基板上制造太阳能电池。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板块体中形成电子和空穴对。所述电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区和n掺杂区，从而在掺杂区之间产生电压差。将掺杂区连接至太阳能电池上的导电区，以将电流从电池引导至与其耦接的外部电路。

附图说明

图1A-1F示出了根据本公开实施例的太阳能电池制造中的各个阶段的剖视图，其中：

图1A示出了太阳能电池的起始基板；

图1B示出了在基板的光接收表面上形成钝化介电层后的图1A结构；

图1C示出了在钝化介电层上可选地形成中间材料层后的图1B结构；

图1D示出了在中间材料层上形成抗反射涂层(ARC)后的图1C结构；

图1E示出了ARC层暴露于紫外辐射之后的图1D的结构；以及

图1F示出了抗反射涂层热退火后的图1E的结构；

图2为根据本公开的实施例的流程图，该流程图列出了与图1A-1F相对应的制造太阳能电池的方法中的操作。

图3示出了根据本公开的实施例的背接触式太阳能电池的剖视图，该背接触式太阳能电池具有在基板的背表面上方形成的发射极区域，并且具有在基板的光接收表面上的UV固化和热退火的抗反射涂层。

图4示出了根据本公开的实施例的背接触式太阳能电池的剖视图，该背接触式太阳能电池具有在基板的背表面中形成的发射极区域，并且具有在基板的光接收表面上的UV固化和热退火的抗反射涂层。

图5是示出根据本公开的实施例，经过UV固化的样品与未经过UV固化的样品的UV稳定性的曲线图。

图6是示出根据本公开的实施例，退火之前较高的J0可提高UV稳定性的曲线图。

具体实施方式

以下具体实施方式本质上只是例证性的，并非意图限制所述主题的实施例或此类实施例的应用和用途。如本文所用，词语“示例性”意指“用作示例、实例或举例说明”。本文描述为示例性的任何实施未必理解为相比其他实施是优选的或有利的。此外，并不意图受前述技术领域、背景技术、发明内容或以下具体实施方式中提出的任何明示或暗示的理论的约束。

本说明书包括提及“一个实施例”或“实施例”。短语“在一个实施例中”或“在实施例中”的出现不一定是指同一实施例。特定的特征、结构或特性可以任何与本公开一致的合适方式加以组合。

术语。以下段落提供存在于本公开(包括所附权利要求书)中术语的定义和/或语境：

“包括”。该术语是开放式的。如在所附权利要求书中所用，该术语并不排除其他结构或步骤。