[发明专利]低介电损耗材料的制备工艺及其应用

权利要求书

1.低介电损耗材料的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将重晶石粉15份加入到其重量80倍的蒸馏水中，加热升温至80℃后搅拌均匀，加入聚乙烯吡咯烷酮3份，保温搅拌15-20分钟，随后滴加2 mol/L的盐酸使pH至4.5，再加入偶联剂2份，搅拌30分钟得到混合溶液，最后在烘箱中于110℃条件下干燥，至水分全部蒸发完毕，得改性重晶石粉；

（2）将改性重晶石粉与椰子油酸单乙醇酰胺6-8份、正硅酸丙酯4-5份混合，加入120份去离子水搅拌均匀，注入高压反应釜中进行水热反应，随后降温至常温，得到初级反应混合物；

（3）将初级反应混合物加入到其重量10-17倍的N,N-二甲基甲酰胺中，超声处理25分钟，随后加入缩水甘油醚型环氧树脂8份，然后通入惰性气体，在120℃的油浴中保温反应120-150分钟，趁热离心后将沉淀在60℃下真空干燥18小时，得次级反应混合物；

（4）将次级反应混合物投入到螺杆挤出机中，经熔融挤出后送入造粒机造粒，随后将得到的颗粒状材料放在压片机上，在温度为250-280℃，压力为10 Mpa的工艺条件下，热压30分钟，得低介电损耗材料。

2.根据权利要求1所述的低介电损耗材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤（1）中的偶联剂为硅烷偶联剂。

3.根据权利要求1所述的低介电损耗材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤（2）中的水热反应的温度为800-850℃，压力2-5MPa,反应时间为50分钟。

4.根据权利要求1所述的低介电损耗材料的制备工艺，其特征在于，所述步骤（4）中的螺杆温度为320℃，螺杆转速为500转/分钟。

5.根据权利要求1-4任一项所述的低介电损耗材料在电子器件产品中的应用。