[发明专利]一种用于太阳能电池的多晶硅片及其制备方法

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的多晶硅片，具有制绒表面，其特征在于，所述制绒表面是由一系列独立、紧密排布、具有微米尺寸的类倒金字塔结构构成的绒面结构，其中，对于多晶硅片的不同晶粒，所述类倒金字塔结构的开口方向不同。

2.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述多晶硅片的制绒表面是由酸性制绒液刻蚀制得，所述酸性制绒液中含有氧化剂，所述氧化剂用于使得硅表面上形成的过量铜纳米颗粒被氧化形成Cu²⁺进而避免在硅片表面形成致密铜膜阻碍刻蚀的进行。

3.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述类倒金字塔结构的开口方向与其对应的晶粒的取向一致。

4.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述类倒金字塔结构的开口形状包括三角形、四边形或六边形；所述多晶硅片具有第一晶向、第二晶向、第三晶向及第四晶向；

对于所述多晶硅片的第二晶向的晶粒，所述类倒金字塔结构的开口为三角形；对于所述多晶硅片的第三晶向、第四晶向的晶粒，所述类倒金字塔结构的开口为四边形；对于所述多晶硅片的第一晶向的晶粒，所述类倒金字塔结构的开口为六边形。

5.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述制绒表面的平均反射率小于20％；

可选地，所述制绒表面的平均反射率为5％-20％。

6.根据权利要求1所述的多晶硅片，其特征在于，所述类倒金字塔结构的开口边长为1μm～10μm，结构深度为1μm～10μm。

7.一种用于太阳能电池的多晶硅片的制备方法，其特征在于，通过将清洗后的硅片浸泡至酸性制绒液中刻蚀获得；其中，所述酸性制绒液包括铜离子源、氟离子源以及能够将铜氧化为铜离子的氧化剂。

8.根据权利要求7所述的多晶硅片的制备方法，其特征在于，所述铜离子源用于提供浓度为0.1～30.0mmol/L的铜离子，氟离子源用于提供浓度为0.4～11.0mol/L的氟离子，氧化剂的浓度为0.1～5.0mol/L。

9.根据权利要求7所述的多晶硅片的制备方法，其特征在于，所述铜离子源为氯化铜、硫酸铜和硝酸铜中的一种或多种；所述氧化剂为高锰酸钾、溴化钾、过硫酸盐和双氧水中的一种或多种。

10.根据权利要求7所述的多晶硅片的制备方法，其特征在于，所述酸性制绒液刻蚀时的温度为30℃～80℃，刻蚀时间为3分钟～20分钟。