[发明专利]一种MOS型器件的制造方法有效
| 申请号： | 201711097266.2 | 申请日： | 2017-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107887447B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 杨同同;柏松;黄润华 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/80 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS型器件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：
（1）在外延层上刻蚀形成台面；
（2）在台面上方外延生长初始阱区域，初始阱区域的高度要大于或等于台面的高度，通过CMP工艺对初始阱区域进行处理，形成表面光滑的阱区域，得到的阱区域的高度与台面高度相同；
（3）对阱区域刻蚀形成槽区域；
（4）在步骤（3）中形成的阱区域和槽区域上方外延生长得到初始源区域，所述初始源区域的厚度要大于槽区域的深度，且初始源区域的高度要高于台面的高度，CMP工艺对得到的初始源区域进行处理，得到表面光滑的源区域，所述源区域高度与台面高度相同；
（5）在台面上方形成栅氧化层和栅极；
（6）随后金属化得到源极和漏极；
（7）淀积隔离介质层。
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