[发明专利]存储器管理方法以及存储控制器在审
申请号: | 201711096410.0 | 申请日: | 2017-11-09 |
公开(公告)号: | CN109766055A | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 萧又华 | 申请(专利权)人: | 深圳大心电子科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 字符线 解码操作 存储控制器 存储器管理 判定 非易失性存储器模块 门槛 第一数据 可复写式 失败 存储 成功 | ||
本发明提供一种存储器管理方法与使用所述方法的存储控制器。所述方法包括对存储于可复写式非易失性存储器模块的多个字符线中的第一字符线的第一数据进行解码操作,以判断所述解码操作成功或失败,并且获得所述第一字符线的第一错误值;当判定所述解码操作成功时,根据所述第一错误值与第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为坏字符线;以及当判定所述解码操作失败时,获得相邻于所述第一字符线的第二字符线的第二错误值,根据所述第一错误值、所述第二错误值与第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为该坏字符线。
技术领域
本发明涉及一种存储器管理方法,尤其涉及一种适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置的存储器管理方法与存储控制器。
背景技术
一般来说,可复写式非易失性存储器模块具有多个实体区块,每一实体区块会具有多个存储单元(Memory Cells),并且所述多个存储单元可构成多个字符线(Word-Lines)(每个实体区块具有所述多个字符线)。可复写式非易失性存储器模块中的所述多个存储单元会随着使用次数等因素而导致损坏,进而导致一或多个实体区块不能再被使用。传统上,可复写式非易失性存储器模块的控制器会检测或是判定此些不可再被使用的实体区块为坏实体区块,并且不使用所述坏实体区块来存储数据。然而,每个被判定的坏实体区块中的多个字符线并非皆是损坏的。如此一来,会因为坏实体区块的判定而过度减少了可复写式非易失性存储器模块整体的可用空间。
举例来说,假设一实体区块经由传统作法被判定/标记为坏实体区块而不可存储数据并且其存在有好的字符线(没有损坏的字符线,并且可适当地存储数据)。在此情况下,所述实体区块的好的字符线会因为所述实体区块已被判定/标记为坏实体区块而不能被使用,导致了所述实体区块的好的字符线不可被用于存储数据,进而浪费了位于所述坏实体区块中的对应所述好的字符线的可用空间。
因此,如何有效地判定/识别每个实体区块中多个字符线是否损坏,以较细致地判定可复写式非易失性存储器模块的多个存储单元的损坏范围,进而提升可复写式非易失性存储器模块的可用空间的利用效率,是本领域人员研究的课题的一。
发明内容
本发明提供一种存储器管理方法与存储控制器,可经由对可复写式非易失性存储器模块的多个实体区块的多个字符线中的一字符线进行解码操作,以判断是否标记所述字符线为坏字符线,藉此可有效率地识别可复写式非易失性存储器模块的所述多个字符线是否损坏。
本发明的一实施例提供适用于可复写式非易失性存储器模块的一种存储器管理方法,其中所述非易失性存储器模块具有多个字符线,并且每一所述多个字符线由一或多个存储单元构成。所述存储器管理方法包括对存储于所述多个字符线中的第一字符线的第一数据进行第一型解码操作,以判断所述第一型解码操作成功或失败,并且获得所述第一字符线的第一错误值;当判定所述第一型解码操作成功时,根据所述第一错误值与第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为坏字符线;以及当判定所述第一型解码操作失败时,获得相邻于所述第一字符线的第二字符线的第二错误值,根据所述第一错误值、所述第二错误值与第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为该坏字符线。
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