[发明专利]热电偶结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201711091714.8 | 申请日： | 2017-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN107976260A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李国强;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/02 | 分类号： | G01K7/02;G01K1/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 徐文欣,吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电偶 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种热电偶结构，其特征在于，包括：
保护套管，所述保护套管具有接触区；
位于保护套管接触区外表面的覆盖层，所述覆盖层材料的抗腐蚀性强于保护套管接触区材料的抗腐蚀性；
位于保护套管内的测温芯。
2.根据权利要求1所述的热电偶结构，其特征在于，所述保护套管接触区的材料为石英或蓝宝石；所述覆盖层的材料为碳化硅或氮化硼。
3.根据权利要求1所述的热电偶结构，其特征在于，所述保护套管的材料为石英；所述保护套管的中心轴为曲线。
4.根据权利要求1所述的热电偶结构，其特征在于，所述热电偶结构用于测试工作腔内的温度；在所述热电偶结构测试工作腔内的温度时，所述保护套管的接触区置于所述工作腔内。
5.根据权利要求4所述的热电偶结构，其特征在于，所述保护套管还具有与所述接触区邻接的暴露区；在所述热电偶结构测试工作腔内的温度时，所述保护套管的暴露区置于所述工作腔外；所述覆盖层还位于所述保护套管暴露区的外侧壁。
6.根据权利要求1所述的热电偶结构，其特征在于，所述覆盖层的厚度为50um～200um。
7.一种热电偶结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供保护套管，所述保护套管具有接触区；
提供测温芯；
在保护套管接触区外表面形成覆盖层，所述覆盖层材料的抗腐蚀性强于保护套管接触区材料的抗腐蚀性；
形成所述覆盖层后，将所述测温芯置于保护套管内。
8.根据权利要求7所述的热电偶结构的形成方法，其特征在于，所述保护套管接触区的材料为石英或蓝宝石；所述覆盖层的材料为碳化硅或氮化硼。
9.根据权利要求7所述的热电偶结构的形成方法，其特征在于，所述保护套管的材料为石英；所述保护套管的中心轴为曲线。
10.根据权利要求7所述的热电偶结构的形成方法，其特征在于，所述热电偶结构用于测试工作腔内的温度；在所述热电偶结构测试工作腔内的温度时，所述保护套管的接触区置于所述工作腔内。
11.根据权利要求10所述的热电偶结构的形成方法，其特征在于，所述保护套管还具有与所述接触区邻接的暴露区；在所述热电偶结构测试工作腔内的温度时，所述暴露区置于所述工作腔外；所述覆盖层还位于所述保护套管暴露区的外侧壁；形成所述覆盖层的工艺包括化学气相沉积工艺。
12.根据权利要求7所述的热电偶结构的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为50um～200um。
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