[发明专利]一种铝衬垫的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铝衬垫的制造方法

背景技术

铝衬垫是半导体晶圆与外界的连接界面，半导体晶圆可以通过铝衬垫与外界形成金属连接。铝衬垫的制造流程中，通常需要对铝衬垫表面的覆盖层进行干法刻蚀，在此道干刻工艺中，因为有用到含氟的聚合物，所以会产生含氟的残留物。

在后续的工艺中，半导体晶圆需要被放置塑料材料上，伴随着自然降解，圆晶表面残留的氟离子会逐渐释放出来，随着使用时间的增加，释放出来的负离子会越来越多，而代工厂或测试厂的环境中，往往是含有水汽，一般代工厂或测试厂的环境相对湿度在40％-50％，氟离子会与环境中的水气发生化学反应，生成氟化氢，从而导致铝衬垫分表面同时生成氟化铝以及氢氧化铝。

氟化铝以及氢氧化铝均为铝衬垫晶体缺陷，晶体缺陷将会影响铝衬垫的物理性能和后续的测试及封装的连线。

在无法改变或改善塑料放置环境和代工厂或测试厂的水汽环境的条件下，现有的技术中，使用大量去离子水冲洗晶圆的方法进行清洗，但是这种方法只能降低表面氟离子的浓度，很难将氟离子完全清除，而且反复冲洗还大量了水资源。因此，有必要通过工艺上的改进来去除氟元素的残留物。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种铝衬垫的制造方法。

具体技术方案如下：

一种铝衬垫的制造方法，应用于半导体制造领域，包括以下步骤：

步骤S1：采用物理气相沉积法淀积得到铝衬垫；

步骤S2：对所述铝衬垫进行刻蚀；

步骤S3：采用化学气相沉积法淀积一层覆盖层；

步骤S4：通过干法刻蚀工艺对所述覆盖层进行刻蚀；

步骤S5：采用湿法清洗所述覆盖层；

步骤S6：采用等离子体溅射轰击所述铝衬垫的表面以去除氟原子；

步骤S7：采用氧气作为气源对所述铝衬垫进行退火处理以在所述铝衬垫表面形成氧化铝薄膜。

优选的，在所述步骤S6前，还包括预处理步骤：

步骤A1：将所述铝衬垫置于惰性气体环境中进行加热处理；

步骤A2：对所述铝衬垫进行退火处理。

优选的，所述步骤A1中，进行加热处理的加热温度为150摄氏度至400摄氏度。

优选的，所述步骤A1中，所述惰性气体环境为氩气环境。

优选的，所述步骤A1中，进行加热预处理的时间是15秒。

优选的，所述步骤A2中，进行退火处理的气源为氩气或氦气。

优选的，所述步骤A2中，进行退火处理的时间为10秒至100秒。

优选的，所述步骤S6中，所述等离子体的溅射功率为100W至1000W，所述等离子体的溅射时间为10秒至500秒。

优选的，等离子体为氩离子为惰性气体的等离子体。

优选的，所述步骤S7中，进行退火处理的时间为10秒至100秒。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

采用上述等离子轰击的技术方案可大幅度的降低铝衬垫在刻蚀过程中在铝衬垫表面残留的氟浓度，有效抑制铝衬垫表面晶体缺陷的产生，扩大的测试封装的时间窗口，提高了封装的良率。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1为本发明一种铝衬垫的制造方法实施例的流程图。

图2为本发明实施例中预处理的流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

本发明一种较佳的实施例中，根据图1所示，一种铝衬垫的制造方法，应用于半导体制造领域，包括以下步骤：

步骤S1：采用物理气相沉积法淀积得到铝衬垫；

步骤S2：对铝衬垫进行刻蚀；

步骤S3：采用化学气相沉积法淀积一层覆盖层；

步骤S4：通过干法刻蚀工艺对覆盖层进行刻蚀；

步骤S5：采用湿法清洗覆盖层；