[发明专利]一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法有效
申请号: | 201711084706.0 | 申请日: | 2017-11-07 |
公开(公告)号: | CN107601566B | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 许群;李浩 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 郑州豫开专利代理事务所(普通合伙) 41131 | 代理人: | 张智伟 |
地址: | 450001 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 利用 本体 二硫化钼 制备 具有 lspr 效应 氧化钼 量子 方法 | ||
本发明属于非晶氧化钼纳米材料制备技术领域,公开一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法。将本体二硫化钼超声分散在乙醇中,获得分散液,分散液中本体二硫化钼的浓度为5~15 mg/mL;将分散液与过氧化氢溶液混合,过氧化氢溶液占混合液的体积百分比为5~15%,之后将混合液进行超临界二氧化碳处理;将超临界二氧化碳处理后的溶液进行光照处理,然后烘干即得具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点。本发明利用原始的、没有进行过预处理和改性的本体二硫化钼来生产大产量的非晶氧化钼量子点,比利用化学气相沉积法得到的非晶氧化钼的原料更为简单易得,成本相对更低廉。
技术领域
本发明属于非晶氧化钼纳米材料制备技术领域,具体涉及一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法。
背景技术
氧化钼量子点是一种能够应用于生物监测、光电催化和传感及转换器件的纳米材料,是目前非常具有应用前景的纳米材料之一。廉价、高活性、稳定的氧化钼纳米材料在一些电学器件、光电器件和传感器件上有着很好的应用。一般制备非晶氧化钼时使用阳极生长法(Jin B, Zhou X, Huang L, et al. Angewandte Chemie, 2016, 55(40):12252.)、化学气相沉积(Madeleine Diskus , Ola Nilsen , et al . J . Vac . Sci .Technol .A , 2012 , 30 ,, 01A107-1)等制备方法,因此使用更加简易可行、环保无污染的方法制备非晶氧化钼材料成为了当今纳米材料发展的挑战之一。
发明内容
本发明目的在于提供一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法,该方法原材料更为简单易得、制备方法更为环保。
为实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种利用本体二硫化钼制备具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点的方法,步骤如下:
(1)、将本体二硫化钼超声分散在乙醇中,获得分散液,分散液中本体二硫化钼的浓度为5~15 mg/mL;
(2)、将分散液与过氧化氢溶液混合,过氧化氢溶液占混合液的体积百分比为5~15%,之后将混合液进行超临界二氧化碳处理;
(3)、将超临界二氧化碳处理后的溶液进行光照处理,然后烘干即得具有LSPR效应的非晶氧化钼量子点。
较好地,步骤(1)中,所述本体二硫化钼为原始的、没有进行过预处理和改性的二硫化钼。
较好地,步骤(1)中,乙醇的体积浓度为30~70 %。
较好地,步骤(2)中,过氧化氢溶液的质量浓度为30 %。
较好地,步骤(1)中,超声分散2~6 h。
较好地,步骤(2)中,超临界二氧化碳处理的条件为:磁力搅拌,压力11~20 MPa,温度40~120 ℃,保压至少3h。
较好地,步骤(3)中,光照的光源为太阳光或氙灯。
较好地,步骤(3)中,光照至少3 h。
较好地,步骤(3)中,40~80 ℃烘干。
本发明提供给了一种利用过氧化氢对本体二硫化钼进行氧化从而制备非晶氧化钼量子点的方法。方法利用本体二硫化钼的层状结构,在超临界二氧化碳流体的作用下,通过超临界二氧化碳流体的携带作用使过氧化氢分子插入本体二硫化钼的层间,实现二硫化钼的剥离以及进一步地氧化裂解并最终形成氧化钼量子点,在阳光的照射下形成一种结合氢离子的氧化钼量子点结构(HxMoO3),从而使其具备等离子体性质。
本发明与现有技术相比,具有如下优点:
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