[发明专利]一种无导电颗粒电磁屏蔽膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于新材料技术领域，尤其涉及一种无导电颗粒电磁屏蔽膜及其制备方法。

技术背景

近年来，随着挠性覆铜板(FPC)的广泛应用，电子产品功能的集成化促使其向高频高速方向发展，由此在高频及高速驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题日趋严重，对电子产品的电磁屏蔽要求也越来越高。

在现有技术中，大多数电磁屏蔽膜包括载体膜、绝缘层、屏蔽层、导电胶层、保护膜。其中，导电胶层通过添加导电颗粒，使其具有导电、粘结性能，导电胶层厚度一般为10～15μm，导致电磁屏蔽膜整体厚度偏大，接地电阻大，成本也高。目前市场上的该结构的电磁屏蔽膜产品主要以16μm、22μm厚度为主，没有厚度小于13μm的产品，不能满足电子产品向轻薄方向发展的要求，还需进一步优化电磁屏蔽膜的厚度。

公开号为CN105324019A的发明专利申请中公开了一种无导电粒子电磁屏蔽膜，采用的是压铸方式形成数个金属电极，然后涂布无导电粒子的胶粘层，整体结构设计复杂，工艺操作难度大，该发明与本发明申请结构不同，制备工艺不同。

发明内容

为了解决现有技术中存在的产品厚度大，工艺操作复杂的难题，本发明公开了一种无导电颗粒电磁屏蔽膜及其制备方法。本发明目的之一是提供一种厚度薄、屏蔽性效能高、接地电阻低的无导电颗粒电磁屏蔽膜；目的之二是提供工艺简便、操作方便、经济环保的无导电颗粒电磁屏蔽膜的制备方法。

本发明的目的之一可通过如下技术措施来实现：

一种无导电颗粒电磁屏蔽膜，结构依次为载体膜、绝缘层、屏蔽层、遮盖层、粘结层、保护膜；所述的遮盖层表面分布大小不一的孔洞；所述的屏蔽层由平面金属和凸状金属组成，其中平面金属复合于绝缘层，凸状金属分布在遮盖层的孔洞中并且与平面金属相接；

其中，载体膜厚度为25～150μm；绝缘层厚度为3～6μm；遮盖层厚度为0.1～1μm；粘结层厚度为1～5μm；保护膜厚度为50～150μm；平面金属层厚度为0.1～0.5μm；凸状金属高度为1～5μm；孔洞孔径为1～50μm。

本发明的目的之一还可通过如下技术措施来实现：

所述载体膜为PET膜、PP膜、PI膜中的一种，耐高温大于120℃，有利于在高温环境中不变形。

所述的绝缘层由高分子材料和功能填料按质量比1～20:1组成；

所述的高分析材料为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合；橡胶可以替换为橡胶预聚体，效果相同；

所述的功能填料为二氧化硅、氧化铝、氮化铝中的一种或两种以上组合。

所述的平面金属为铜、镍、银、锌中的一种或两种以上组合；

所述的凸状金属为镍、铜、银中的一种或两种以上组合。

所述的遮盖层由高分子聚合物和表面活性剂按质量比1:0.001～0.05组成；

所述的高分子聚合物为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合；橡胶可以替换为橡胶预聚体，效果相同；

所述的表面活性剂为硅表面活性剂或氟表面活性剂。

所述的粘结层为环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、橡胶、橡胶预聚体、聚氨酯树脂、氰酸酯树脂中的一种或两种以上组合。

所述的保护膜为离型力50～200g/25mm的PET膜、PP膜、PBT膜中的一种。

本发明的目的之二可通过如下技术措施来实现：

该无导电颗粒电磁屏蔽膜的制备方法，按如下步骤进行：

S1、在载体膜表面涂布绝缘层，干燥；

S2、在绝缘层表面镀覆一层金属，形成平面金属，然后在平面金属表面涂布遮盖层，干燥后遮盖层表面形成大小不一的孔洞，在遮盖层孔洞中裸露的平面金属表面电镀金属，形成凸状金属；

S3、然后在遮盖层和凸状金属表面涂布粘结层；

S4、最后在粘结层表面贴合保护膜，即得。

本发明的目的之二可通过如下技术措施来实现：

步骤S2中所述的镀覆为真空蒸镀或真空磁控溅射。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

(1)本发明利用凸状金属取代导电胶层直接与线路板连接，其中凸状金属高度1～5μm，常规电磁屏蔽膜导电胶层厚度为10～15μm，因此本发明能够在满足电磁屏蔽效能的基础上，极大地降低电磁屏蔽膜的整体厚度，满足电子产品轻薄的发展趋势。