[发明专利]一种基质土壤二元栽培方法

说明书

本发明提供了一种控制根系深层分布防止死棵病增加产量和提高水肥利用率的基质土壤二元栽培方法，包括以下步骤：土地预处理、打孔洞或挖沟槽、施肥、回填基质、铺设、浇灌和覆膜；所述土地预处理，大水灌浸：灌浸5天，水深4厘米，7天后旋耕25厘米；所述覆黑地膜：继续浸灌10天，土壤氧化还原电位降低到45‑50mv时结束，覆盖黑地膜密封处理7‑9天，待土壤30cm深处的CO₂含量为15‑18%时揭开；本发明方法处理的土壤：腐皮镰孢菌孢子数为0.8个孢子/g土；土壤纤维素酶活性为0.54mg葡萄糖/(10g•72h)；应用于黄瓜，根腐病发生率为0.6%，增产率34.3%，果实均匀度高，果实直径30‑31cm。

技术领域

本发明属于农业栽培技术领域，涉及一种控制根系的基质土壤二元栽培方法，具体涉及一种控制根系深层分布防止死棵病增加产量和提高水肥利用率的基质土壤二元栽培方法。

背景技术

植物的生长如果土壤表层温度和湿度适宜，水肥供应充足，植物的根系大部分在土壤表层分布。

植物生长的中后期，夏季光照过强，土壤表层温度过高，土壤表层的根系受热腐烂死亡造成死棵；秋冬季昼夜温差大，土壤表层温度变化大，根系容易受到损伤，引发病害死亡造成死棵。

水肥灌溉时，水肥大部分在土壤深层分布，少部分在表层，只有表层的水肥被吸收，大部分不被吸收，并且肥料逐渐随水下降流失。土壤中的肥料依靠在水中溶解和移动而被根系吸收，表层土壤容易干燥失水，降低水肥利用率。表层土壤中的根系因为缺水无法吸收土壤中的肥料，造成缺肥而减产。

传统的土壤种植方法，在充分的灌溉后，土壤的空气被水分挤出。土壤的保水性强，空气长时间不能补充进入土壤，造成土壤中根系缺氧，导致沤根死棵。同时由于土壤保水性强，长时间给根系充足的水肥供应抑制了根系生长和扩散分布，无法形成庞大的根系。到了植物生长中后期，弱小的根系不能吸收充足的水肥供给植物需要，造成中后期长势弱或减产。

发明内容

本发明针对以上不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种控制根系深层分布防止死棵病增加产量和提高水肥利用率的基质土壤二元栽培方法。本发明可以实现以下发明目的：

本发明提供一种二元栽培方法，可以控制根系深层分布、防止死棵病、增加产量并能提高水肥利用率。

为解决上述技术问题，采用以下技术方案：

一种控制根系深层分布防止死棵病增加产量和提高水肥利用率的基质土壤二元栽培方法，其特征在于，所述基质土壤二元栽培方法包括以下步骤：土地预处理、打孔洞或挖沟槽、施肥、回填基质、铺设、浇灌和覆膜。

作为本发明优选的技术方案，所述土地预处理，包括大水灌浸、覆黑地膜和选择栽培方式。

作为本发明优选的技术方案，所述大水灌浸：大水灌浸5天，水深保持在4厘米，7天后将土壤旋耕25厘米；

所述覆黑地膜：旋耕后，继续保持浸灌10天，在土壤氧化还原电位降低到45-50mv时结束浸灌，在浸灌区域覆盖黑地膜密封处理7-9天，待土壤30cm深处的CO₂含量为15-18%时，揭开地膜；

所述选择栽培方式：当土壤ODR大于等于40%时采用平地栽培，当土壤ODR小于40%时采用起垄栽培，垄宽20-100厘米，垄高15-60厘米。

作为本发明优选的技术方案，所述黑地膜，厚度为0.001mm，遮光度为90-92%，热辐射为42%，材质主要为聚乙烯。

作为本发明优选的技术方案，所述打孔洞或挖沟槽，在地面上或垄顶上打孔洞或挖沟槽，坑洞直径在3-20厘米，深度5-20厘米，沟槽宽在3-50厘米，深度5-25厘米。